參數(shù)資料
型號(hào)： CY7C1248KV18-400BZXC
廠商： CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： SRAM
英文描述： 2M X 18 DDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165
封裝： 13 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, MO-216, FBGA-165
文件頁(yè)數(shù)： 15/28頁(yè)
文件大?。?/td> 907K
代理商： CY7C1248KV18-400BZXC
CY7C1246KV18, CY7C1257KV18
CY7C1248KV18, CY7C1250KV18
Document Number: 001-57834 Rev. *B
Page 22 of 28
IDD [24]
VDD operating supply
VDD = Max, IOUT = 0 mA,
f = fMAX = 1/tCYC
450 MHz (× 8)
–
590
mA
(× 9)
–
590
(× 18)
–
600
(× 36)
–
760
400 MHz (× 8)
–
540
mA
(× 9)
–
540
(× 18)
–
550
(× 36)
–
690
375 MHz (× 8)
–
520
mA
(× 9)
–
520
(× 18)
–
530
(× 36)
–
660
333 MHz (× 8)
–
480
mA
(× 9)
–
480
(× 18)
–
490
(× 36)
–
600
ISB1
Automatic power-down
current
Max VDD,
both ports deselected,
VIN VIH or VIN VIL
f = fMAX = 1/tCYC,
inputs static
450 MHz (× 8)
–
330
mA
(× 9)
–
330
(× 18)
–
330
(× 36)
–
330
400 MHz (× 8)
–
310
mA
(× 9)
–
310
(× 18)
–
310
(× 36)
–
310
375 MHz (× 8)
–
300
mA
(× 9)
–
300
(× 18)
–
300
(× 36)
–
300
333 MHz (× 8)
–
280
mA
(× 9)
–
280
(× 18)
–
280
(× 36)
–
280
Electrical Characteristics (continued)
DC Electrical Characteristics
Over the Operating Range [20]
Parameter
Description
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Note
24. The operation current is calculated with 50% read cycle and 50% write cycle.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CY7C1371AV25-66AC 512K X 36 ZBT SRAM, 10 ns, PQFP100
CY7C1387DV25-225BZI 1M X 18 CACHE SRAM, 2.8 ns, PBGA165
CY7C1387DV25-225BZC 1M X 18 CACHE SRAM, 2.8 ns, PBGA165
CY7C138AV Memory
CY7C025-15JC x16 Dual-Port SRAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CY7C1248KV18-450BZXC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 36MB (2Mx18) 1.8v 450MHz DDR II 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C12501KV 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:
CY7C12501KV18-400BZC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 1Mb x 36 400 MHz Sync 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C12501KV18-400BZXC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 1Mb x 36 400 MHz Sync 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C12501KV18-450BZXC 功能描述:IC SRAM 36MBIT 450MHZ 165-FPBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:150 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:4K (2 x 256 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-VFDFN 裸露焊盤 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-DFN（2x3） 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1445 (CN2011-ZH PDF)
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