參數(shù)資料
型號： CY7C1248KV18-400BZXC
廠商： CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： SRAM
英文描述： 2M X 18 DDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165
封裝： 13 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, MO-216, FBGA-165
文件頁數(shù)： 8/28頁
文件大小： 907K
代理商： CY7C1248KV18-400BZXC
CY7C1246KV18, CY7C1257KV18
CY7C1248KV18, CY7C1250KV18
Document Number: 001-57834 Rev. *B
Page 16 of 28
TAP Controller Block Diagram
TAP Electrical Characteristics
Over the Operating Range [13, 14, 15]
Parameter
Description
Test Conditions
Min
Max
Unit
VOH1
Output HIGH voltage
IOH =2.0 mA
1.4
–
V
VOH2
Output HIGH voltage
IOH =100 A1.6
–
V
VOL1
Output LOW voltage
IOL = 2.0 mA
–
0.4
V
VOL2
Output LOW voltage
IOL = 100 A–
0.2
V
VIH
Input HIGH voltage
0.65 VDD VDD + 0.3
V
VIL
Input LOW voltage
–0.3
0.35 VDD
V
IX
Input and output load current
GND
VI VDD
–5
5
A
0
1
2
.
29
30
31
Boundary Scan Register
Identification Register
0
1
2
.
108
0
1
2
Instruction Register
Bypass Register
Selection
Circuitry
Selection
Circuitry
TAP Controller
TDI
TDO
TCK
TMS
Notes
13. These characteristics pertain to the TAP inputs (TMS, TCK, TDI and TDO). Parallel load levels are specified in the Electrical Characteristics Table.
14. Overshoot: VIH(AC) < VDDQ + 0.3 V (Pulse width less than tCYC/2), Undershoot: VIL(AC) > 0.3 V (Pulse width less than tCYC/2).
15. All voltage referenced to ground.
相關PDF資料
PDF描述
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相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
CY7C1248KV18-450BZXC 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 36MB (2Mx18) 1.8v 450MHz DDR II 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C12501KV 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:
CY7C12501KV18-400BZC 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 1Mb x 36 400 MHz Sync 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C12501KV18-400BZXC 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 1Mb x 36 400 MHz Sync 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C12501KV18-450BZXC 功能描述:IC SRAM 36MBIT 450MHZ 165-FPBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:150 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:4K (2 x 256 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-VFDFN 裸露焊盤 供應商設備封裝:8-DFN（2x3） 包裝:管件 產品目錄頁面:1445 (CN2011-ZH PDF)
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