參數(shù)資料
型號(hào): CY7C1248KV18-400BZXC
廠商: CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: SRAM
英文描述: 2M X 18 DDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165
封裝: 13 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, MO-216, FBGA-165
文件頁(yè)數(shù): 25/28頁(yè)
文件大?。?/td> 907K
代理商: CY7C1248KV18-400BZXC
CY7C1246KV18, CY7C1257KV18
CY7C1248KV18, CY7C1250KV18
Document Number: 001-57834 Rev. *B
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CY7C1248KV18 (2 M × 18)
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A
CQ
NC/72M
A
R/W
BWS1
K
NC/144M
LD
AA
CQ
B
NC
DQ9
NC
A
NC/288M
K
BWS0
ANC
NC
DQ8
C
NC
VSS
ANCA
VSS
NC
DQ7
NC
D
NC
DQ10
VSS
NC
E
NC
DQ11
VDDQ
VSS
VDDQ
NC
DQ6
F
NC
DQ12
NC
VDDQ
VDD
VSS
VDD
VDDQ
NC
DQ5
G
NC
DQ13
VDDQ
VDD
VSS
VDD
VDDQ
NC
H
DOFF
VREF
VDDQ
VDD
VSS
VDD
VDDQ
VREF
ZQ
J
NC
VDDQ
VDD
VSS
VDD
VDDQ
NC
DQ4
NC
K
NC
DQ14
VDDQ
VDD
VSS
VDD
VDDQ
NC
DQ3
L
NC
DQ15
NC
VDDQ
VSS
VDDQ
NC
DQ2
M
NC
VSS
NC
DQ1
NC
N
NC
DQ16
VSS
AAA
VSS
NC
P
NC
DQ17
A
QVLD
A
NC
DQ0
R
TDO
TCK
AAA
NC
AAA
TMS
TDI
CY7C1250KV18 (1 M × 36)
1
2
3
4
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7
8
9
10
11
A
CQ
NC/144M
A
R/W
BWS2
K
BWS1
LD
ANC/72M
CQ
B
NC
DQ27
DQ18
A
BWS3
KBWS0
ANC
NC
DQ8
C
NC
DQ28
VSS
ANCA
VSS
NC
DQ17
DQ7
D
NC
DQ29
DQ19
VSS
NC
DQ16
E
NC
DQ20
VDDQ
VSS
VDDQ
NC
DQ15
DQ6
F
NC
DQ30
DQ21
VDDQ
VDD
VSS
VDD
VDDQ
NC
DQ5
G
NC
DQ31
DQ22
VDDQ
VDD
VSS
VDD
VDDQ
NC
DQ14
H
DOFF
VREF
VDDQ
VDD
VSS
VDD
VDDQ
VREF
ZQ
J
NC
DQ32
VDDQ
VDD
VSS
VDD
VDDQ
NC
DQ13
DQ4
K
NC
DQ23
VDDQ
VDD
VSS
VDD
VDDQ
NC
DQ12
DQ3
L
NC
DQ33
DQ24
VDDQ
VSS
VDDQ
NC
DQ2
M
NC
DQ34
VSS
NC
DQ11
DQ1
N
NC
DQ35
DQ25
VSS
AAA
VSS
NC
DQ10
P
NC
DQ26
A
QVLD
A
NC
DQ9
DQ0
R
TDO
TCK
AAA
NC
AAA
TMS
TDI
Pin Configuration (continued)
The pin configuration for CY7C1246KV18, CY7C1257KV18, CY7C1248KV18, and CY7C1250KV18 follows.[2]
165-ball FBGA (13 × 15 × 1.4 mm) pinout
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CY7C1371AV25-66AC 512K X 36 ZBT SRAM, 10 ns, PQFP100
CY7C1387DV25-225BZI 1M X 18 CACHE SRAM, 2.8 ns, PBGA165
CY7C1387DV25-225BZC 1M X 18 CACHE SRAM, 2.8 ns, PBGA165
CY7C138AV Memory
CY7C025-15JC x16 Dual-Port SRAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CY7C1248KV18-450BZXC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 36MB (2Mx18) 1.8v 450MHz DDR II 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C12501KV 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:
CY7C12501KV18-400BZC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 1Mb x 36 400 MHz Sync 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C12501KV18-400BZXC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 1Mb x 36 400 MHz Sync 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C12501KV18-450BZXC 功能描述:IC SRAM 36MBIT 450MHZ 165-FPBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:150 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:4K (2 x 256 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 線串口 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-VFDFN 裸露焊盤 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-DFN(2x3) 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1445 (CN2011-ZH PDF)