- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄295374 > CY7C1248KV18-400BZXC (CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP) 2M X 18 DDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165 PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | CY7C1248KV18-400BZXC |
| 廠商： | CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | SRAM |
| 英文描述： | 2M X 18 DDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165 |
| 封裝： | 13 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, MO-216, FBGA-165 |
| 文件頁數(shù)： | 18/28頁 |
| 文件大?。?/td> | 907K |
| 代理商： | CY7C1248KV18-400BZXC |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁當前第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁
CY7C1246KV18, CY7C1257KV18
CY7C1248KV18, CY7C1250KV18
Document Number: 001-57834 Rev. *B
Page 25 of 28
Switching Waveforms
Read/Write/Deselect Sequence [35, 36, 37, 38]
Figure 5. Waveform for 2.0 Cycle Read Latency
DON’T CARE
UNDEFINED
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
READ
NOP
WRITE
t
NOP
11
K
LD
R/W
A
tKH tKL
tCYC
tHC
tSA tHA
SC
A0
A1
A2
A3
A4
CQ
QVLD
t
NOP
t
QVLD
t
tCCQO
tCQOH
t
tCQOH
QVLD
t
NOP
DQ
KHKH
12
(Read Latency = 2.0 Cycles)
NOP
CCQO
tSD
HD
tSD
tHD
t
CLZ
tCHZ
D20 D21
D30
D31
t
CQDOH
Q00
Q11
Q01 Q10
tDOH
tCO
Q40 Q41
tCQD
t
tCQH
CQHCQH
Notes
35. Q00 refers to output from address A0. Q01 refers to output from the next internal burst address following A0, that is, A0 + 1.
36. Outputs are disabled (high Z) one clock cycle after a NOP.
37. The third NOP cycle between read to write transition is not necessary for correct device operation when read latency = 2.0 cycles; however at high frequency operation,
it is required to avoid bus contention.
38. In this example, if address A4 = A3, then data Q40 = D30 and Q41 = D31. Write data is forwarded immediately as read results. This note applies to the whole diagram.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CY7C1371AV25-66AC | 512K X 36 ZBT SRAM, 10 ns, PQFP100 |
| CY7C1387DV25-225BZI | 1M X 18 CACHE SRAM, 2.8 ns, PBGA165 |
| CY7C1387DV25-225BZC | 1M X 18 CACHE SRAM, 2.8 ns, PBGA165 |
| CY7C138AV | Memory |
| CY7C025-15JC | x16 Dual-Port SRAM |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| CY7C1248KV18-450BZXC | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 36MB (2Mx18) 1.8v 450MHz DDR II 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C12501KV | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述: |
| CY7C12501KV18-400BZC | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 1Mb x 36 400 MHz Sync 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C12501KV18-400BZXC | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 1Mb x 36 400 MHz Sync 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C12501KV18-450BZXC | 功能描述:IC SRAM 36MBIT 450MHZ 165-FPBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:150 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:4K (2 x 256 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-VFDFN 裸露焊盤 供應商設備封裝:8-DFN（2x3） 包裝:管件 產(chǎn)品目錄頁面:1445 (CN2011-ZH PDF) |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。