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參數(shù)資料
| 型號： | HY5R256HC |
| 英文描述： | -|2.5V|8K|40|Direct RDRAM - 256M |
| 中文描述： | - |為2.5V | 8K的| 40 |直接RDRAM的- 256M |
| 文件頁數(shù)： | 60/64頁 |
| 文件大小： | 4542K |
| 代理商： | HY5R256HC |
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60
Rev.0.9/Dec.2000
Direct RDRAM
256/288-Mbit (512Kx16/18x32s) Preliminary
Table 25: RSL Pin Parasitics
Symbol
Parameter and Conditions - RSL pins
Min
Max
Unit
L
I
RSL effective input inductance
4.0
nH
L
12
Mutual inductance between any DQA or DQB RSL signals.
0.2
nH
Mutual inductance between any ROW or COL RSL signals.
0.6
nH
L
I
Difference in L
I
value between any RSL pins of a single device.
-
1.8
nH
C
I
RSL effective input capacitance
a
(800)
RSL effective input capacitance
a
(711)
RSL effective input capacitance
a
(600)
2.0
2.0
2.0
2.4
2.4
2.6
pF
pF
pF
C
12
Mutual capacitance between any RSL signals.
-
0.1
pF
C
I
Difference in C
I
value between average of {CTM, CTMN, CFM,
CFMN} and any RSL pins of a single device.
-
0.06
pF
R
I
RSL effective input resistance
4
15
a. This value is a combination of the device IO circuitry and package capacitances measureed at VDD=2.5V and f=400MHz with pin based at 1.4V.
Table 26: CMOS Pin Parasi tics
Symbol
Parameter and Conditions - RSL pins
Min
Max
Unit
L
I,CMOS
CMOS effective input inductance
8.0
nH
C
I,CMOS
CMOS effective input capacitance (SCK, CMD)
a
1.7
2.1
pF
C
I,CMOS,SIO
CMOS effective input capacitance (SCK, CMD)
a
7.0
pF
a. This value is a combination of the device IO circuitry and package capacitances.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY5R288HC | -|2.5V|8K|40|Direct RDRAM - 288M |
| HY5V16CF | 1Mx16|3.3V|4K|H|SDR SDRAM - 16M |
| HY5V16CF-H | x16 SDRAM |
| HY5V16CF-S | x16 SDRAM |
| HY6116-10 | x8 SRAM |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HY5S2B6DLF-BE | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:4Banks x 2M x 16bits Synchronous DRAM |
| HY5S2B6DLFP-BE | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:4Banks x 2M x 16bits Synchronous DRAM |
| HY5S2B6DLFP-SE | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:4Banks x 2M x 16bits Synchronous DRAM |
| HY5S2B6DLF-SE | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:4Banks x 2M x 16bits Synchronous DRAM |
| HY5S5B2BLF-6E | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:256M (8Mx32bit) Mobile SDRAM |
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