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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HYB 39S256400AT |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | 256-Mbit(4banks × 16MBit × 4) Synchronous DRAM(256M(4列 × 16M位 × 4)同步動(dòng)態(tài)RAM) |
| 中文描述： | 256兆位（4banks × 16兆× 4）同步DRAM（256M（4列× 1,600位× 4）同步動(dòng)態(tài)RAM）的 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 21/42頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 282K |
| 代理商： | HYB 39S256400AT |
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HYB39S256400/800/160AT
256MBit Synchronous DRAM
Semiconductor Group
20
Timing Diagrams
1. Bank Activate Command Cycle
2. Burst Read Operation
3. Read Interrupted by a Read
4. Read to Write Interval
4.1 Read to Write Interval
4.2 Minimum Read to Write Interval
4.3 Non-Minimum Read to Write Interval
5. Burst Write Operation
6. Write and Read Interrupt
6.1 Write Interrupted by a Write
6.2 Write Interrupted by Read
7. Burst Write & Read with Auto-Precharge
7.1 Burst Write with Auto-Precharge
7.2 Burst Read with Auto-Precharge
8. AC- Parameters
9.1 AC Parameters for a Write Timing
9.2 AC Parameters for a Read Timing
9. Mode Register Set
10. Power on Sequence and Auto Refresh (CBR)
11. Self Refresh ( Entry and Exit )
12. Auto Refresh ( CBR )
13. Random Column Read ( Page within same Bank)
15.1 CAS Latency = 2
15.2 CAS Latency = 3
14. Random Column Write ( Page within same Bank)
16.1 CAS Latency = 2
16.2 CAS Latency = 3
15. Random Row Read ( Interleaving Banks) with Precharge
17.1 CAS Latency = 2
17.2 CAS Latency = 3
16. Random Row Write ( Interleaving Banks) with Precharge
18.1 CAS Latency = 2
18.2 CAS Latency = 3
17. Precharge Termination of a Burst
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB 39S256800AT | 256-Mbit(4banks × 8MBit × 8) Synchronous DRAM(256M(4列 × 8M位 × 8)同步動(dòng)態(tài)RAM) |
| HYB 39S256160AT | 256-Mbit(4banks × 4MBit × 16) Synchronous DRAM(256M(4列 × 4M位 × 16)同步動(dòng)態(tài)RAM) |
| HYB 39S256400CT | 256-Mbit(4banks × 16MBit × 4) Synchronous DRAM(256M(4列 × 16M位 × 4)同步動(dòng)態(tài)RAM) |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| HYB39S256400CT-7.5 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:64M X 4 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54 |
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