參數(shù)資料
型號(hào): HYB 39S256400AT
廠商: SIEMENS AG
英文描述: 256-Mbit(4banks × 16MBit × 4) Synchronous DRAM(256M(4列 × 16M位 × 4)同步動(dòng)態(tài)RAM)
中文描述: 256兆位(4banks × 16兆× 4)同步DRAM(256M(4列× 1,600位× 4)同步動(dòng)態(tài)RAM)的
文件頁(yè)數(shù): 28/42頁(yè)
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代理商: HYB 39S256400AT
HYB39S256400/800/160AT
256MBit Synchronous DRAM
Semiconductor Group
27
8. AC Parameters
8.1 AC Parameters for a Write Timing
Auto Precharge
Command
Bank B
Write with
Activate
Command
Bank B
Write with
Auto Precharge
Activate
Command
Bank A
Command
Bank A
Addr.
AP
DQM
DQ
BS
Hi-Z
RCD
t
Ax2
Ax1
Ax0
Ax3
RC
t
RAx
RAx
t
AS
t
AH
RBx
RBx
CAx
Activate
Command
Precharge
Command
Bank A
Activate
Command
Write
Command
Bank A
Bank A
Bank A
SPT03910
Bx2
Bx1
Bx0
Bx3
DS
t
t
DH
Ay2
Ay1
Ay0
Ay3
t
WR
RAy
RAy
CBx
RAy
RP
t
RAz
RAz
T8
Precharge
Bank A
Begin Auto
CLK
WE
CAS
RAS
CS
CKE
CK2
t
CS
t
CH
CKS
t
CH
t
t
CL
t
T3
T0
T2
T1
T4
T5
T7
T6
Bank B
Precharge
Begin Auto
t
CKH
T18
Burst Length = 4, CAS Latency = 2
T13
T9
T10
T12
T11
T14
T15
T17
T16
T19
T20
T22
T21
RBy
RBy
RRD
t
Activate
Command
Bank B
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HYB 39S256800AT 256-Mbit(4banks × 8MBit × 8) Synchronous DRAM(256M(4列 × 8M位 × 8)同步動(dòng)態(tài)RAM)
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