參數(shù)資料
型號: HYB 39S256400AT
廠商: SIEMENS AG
英文描述: 256-Mbit(4banks × 16MBit × 4) Synchronous DRAM(256M(4列 × 16M位 × 4)同步動態(tài)RAM)
中文描述: 256兆位(4banks × 16兆× 4)同步DRAM(256M(4列× 1,600位× 4)同步動態(tài)RAM)的
文件頁數(shù): 34/42頁
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代理商: HYB 39S256400AT
HYB39S256400/800/160AT
256MBit Synchronous DRAM
Semiconductor Group
33
13. Random Column Read (Page within same Bank)
13.1 CAS Latency = 2
Ay1
Addr.
BS
DQ
DQM
AP
Activate
Command
Bank A
Z
Hi
RAw
RAw
Command
Bank A
Read
Command
Bank A
Read
Aw0 Aw1
CAw
CAx
Read
Command
Bank A
Aw3
Aw2
Ax0
Ax1 Ay0
CAy
CS
WE
CAS
RAS
CKE
CLK
T0
CK2
t
T1
T2
T8
T4
T3
T5
T6
T7
T11
T9
T10
T12
T13
Precharge
Command
Bank A
Ay2
Ay3
Activate
Command
Bank A
RAz
RAz
SPT03921
Read
Command
Bank A
CAz
Burst Length = 4, CAS Latency = 2
T19
T16
T15
T14
T17
T18
T20
T21 T22
Az3
Az0
Az1 Az2
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PDF描述
HYB 39S256800AT 256-Mbit(4banks × 8MBit × 8) Synchronous DRAM(256M(4列 × 8M位 × 8)同步動態(tài)RAM)
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參數(shù)描述
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