參數(shù)資料
型號: HYB 39S256400AT
廠商: SIEMENS AG
英文描述: 256-Mbit(4banks × 16MBit × 4) Synchronous DRAM(256M(4列 × 16M位 × 4)同步動態(tài)RAM)
中文描述: 256兆位(4banks × 16兆× 4)同步DRAM(256M(4列× 1,600位× 4)同步動態(tài)RAM)的
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代理商: HYB 39S256400AT
HYB 39S256400/800/160AT
256-MBit Synchronous DRAM
Data Book
3
1.00
Pin Configuration for x4, x8 & x16 Organized 256M-DRAMs
SPP04126
1
2
3
4
5
6
7
8
9
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30
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V
DD
DQ0
V
DDQ
DQ1
DQ2
V
SSQ
DQ3
DQ4
V
DDQ
DQ5
DQ6
V
SSQ
DQ7
V
DD
LDQM
WE
A10/AP
A0
A1
A2
A3
V
DD
CAS
RAS
CS
BA0
BA1
BA1
A10/AP
BA0
CS
RAS
WE
CAS
N.C.
V
DD
N.C.
V
SSQ
DQ3
N.C.
V
DDQ
DQ2
N.C.
V
SSQ
DQ1
N.C.
V
DDQ
V
DD
A3
A2
A1
A0
DQ0
V
DD
V
DD
N.C.
BA1
A10/AP
BA0
CS
RAS
WE
CAS
N.C.
V
DD
N.C.
V
SSQ
DQ1
N.C.
V
DDQ
N.C.
N.C.
V
SSQ
DQ0
N.C.
V
DDQ
V
DD
A3
A2
A1
A0
V
SS
N.C.
V
SSQ
N.C.
DQ3
V
DDQ
N.C.
N.C.
V
SSQ
N.C.
DQ2
V
DDQ
N.C.
V
SS
N.C.
DQM
A8
A7
A6
A5
A4
V
SS
CLK
CKE
A12
A11
A9
A9
A8
A11
A12
CKE
DQM
CLK
N.C.
V
SS
N.C.
V
DDQ
DQ4
N.C.
V
SSQ
DQ5
N.C.
V
DDQ
DQ6
N.C.
V
SSQ
V
SS
A4
A5
A6
A7
DQ7
V
SS
V
SS
DQ15
A9
A8
A11
A12
CKE
UDQM
CLK
N.C.
V
SS
DQ8
V
DDQ
DQ9
DQ10
V
SSQ
DQ11
DQ12
V
DDQ
DQ13
DQ14
V
SSQ
V
SS
A4
A5
A6
A7
TSOPII-54 (400 mil x 875 mil, 0.8 mm pitch)
64 M x 4
32 M x 8
16 M x 16
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HYB 39S256800AT 256-Mbit(4banks × 8MBit × 8) Synchronous DRAM(256M(4列 × 8M位 × 8)同步動態(tài)RAM)
HYB 39S256160AT 256-Mbit(4banks × 4MBit × 16) Synchronous DRAM(256M(4列 × 4M位 × 16)同步動態(tài)RAM)
HYB 39S256400CT 256-Mbit(4banks × 16MBit × 4) Synchronous DRAM(256M(4列 × 16M位 × 4)同步動態(tài)RAM)
HYB 39S256800CT 256-Mbit(4banks × 8MBit × 8) Synchronous DRAM(256M(4列 × 8M位 × 8)同步動態(tài)RAM)
HYB 39S256160CT 256-Mbit(4banks × 4MBit × 16) Synchronous DRAM(256M(4列 × 4M位 × 16)同步動態(tài)RAM)
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參數(shù)描述
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