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參數(shù)資料
| 型號： | HYB 39S256400AT |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | 256-Mbit(4banks × 16MBit × 4) Synchronous DRAM(256M(4列 × 16M位 × 4)同步動態(tài)RAM) |
| 中文描述： | 256兆位（4banks × 16兆× 4）同步DRAM（256M（4列× 1,600位× 4）同步動態(tài)RAM）的 |
| 文件頁數(shù)： | 31/42頁 |
| 文件大?。?/td> | 282K |
| 代理商： | HYB 39S256400AT |
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HYB39S256400/800/160AT
256MBit Synchronous DRAM
Semiconductor Group
30
10. Power on Sequence and Auto Refresh (CBR)
Inputs must be
stable for
200
μ
s
DQM
AP
DQ
Addr.
BS
RP
Command
All Banks
Precharge
Hi-Z
~
t
1st Auto Refresh
Command
~
~
~
~
~
~
~
SPT03913
Mode Register
Set Command
Address Key
8th Auto Refresh
Command
~
t
RC
~
~
~
~
~
~
~
Command
Any
Minimum of 8 Refresh Cycles are required
T8
WE
CAS
RAS
CS
CKE
CLK
required
~
~
~
~
~
~
~
T3
is
~
~
Level
High
T0
T2
T1
T5
T4
T7
T6
T18
2 Clock min.
~
~
~
~
~
~
~
T13
~
~
T10
T9
T12
T11
T14
T15
T17
T16
T20
T19
T22
T21
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB 39S256800AT | 256-Mbit(4banks × 8MBit × 8) Synchronous DRAM(256M(4列 × 8M位 × 8)同步動態(tài)RAM) |
| HYB 39S256160AT | 256-Mbit(4banks × 4MBit × 16) Synchronous DRAM(256M(4列 × 4M位 × 16)同步動態(tài)RAM) |
| HYB 39S256400CT | 256-Mbit(4banks × 16MBit × 4) Synchronous DRAM(256M(4列 × 16M位 × 4)同步動態(tài)RAM) |
| HYB 39S256800CT | 256-Mbit(4banks × 8MBit × 8) Synchronous DRAM(256M(4列 × 8M位 × 8)同步動態(tài)RAM) |
| HYB 39S256160CT | 256-Mbit(4banks × 4MBit × 16) Synchronous DRAM(256M(4列 × 4M位 × 16)同步動態(tài)RAM) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYB39S256400AT-7.5 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x4 SDRAM |
| HYB39S256400AT-8 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x4 SDRAM |
| HYB39S256400AT-8A | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x4 SDRAM |
| HYB39S256400AT-8B | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x4 SDRAM |
| HYB39S256400CT-7.5 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:64M X 4 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54 |
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