參數(shù)資料
型號： HYB 39S256400AT
廠商： SIEMENS AG
英文描述： 256-Mbit(4banks × 16MBit × 4) Synchronous DRAM(256M(4列 × 16M位 × 4)同步動態(tài)RAM)
中文描述： 256兆位（4banks × 16兆× 4）同步DRAM（256M（4列× 1,600位× 4）同步動態(tài)RAM）的
文件頁數(shù)： 38/42頁
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代理商： HYB 39S256400AT
HYB39S256400/800/160AT
256MBit Synchronous DRAM
Semiconductor Group
37
15. Random Row Read (Interleaving Banks) with Precharge
15.1 CAS Latency = 2
Ax2
t
BS
Addr.
DQ
DQM
AP
Bank B
Activate
Command
Hi-Z
Command
Bank B
Read
RBx
RBx
RCD
t
CBx
Read
Command
Activate
Command
Bank B
Bank A
Command
Bank A
Bx2
Bx0
AC2
Bx1
Activate
Bx3
Bx4
RAx
RAx
Command
Bank B
Precharge
Bx6
Bx5
Bx7
Ax0
Ax1
CAx
RP
t
RBy
RBy
CS
WE
CAS
RAS
CKE
CLK
T0
High
t
CK2
T1
T2
T8
T4
T3
T5
T6
T7
T11
T9
T10
T12
T13
SPT03925
Bank B
Command
Ax5
Ax3
Ax4
Read
Ax6
Ax7
CBy
By1
By0
Burst Length = 8, CAS Latency = 2
T19
T16
T15
T14
T17
T18
T20
T21 T22
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HYB 39S256800AT 256-Mbit(4banks × 8MBit × 8) Synchronous DRAM(256M(4列 × 8M位 × 8)同步動態(tài)RAM)
HYB 39S256160AT 256-Mbit(4banks × 4MBit × 16) Synchronous DRAM(256M(4列 × 4M位 × 16)同步動態(tài)RAM)
HYB 39S256400CT 256-Mbit(4banks × 16MBit × 4) Synchronous DRAM(256M(4列 × 16M位 × 4)同步動態(tài)RAM)
HYB 39S256800CT 256-Mbit(4banks × 8MBit × 8) Synchronous DRAM(256M(4列 × 8M位 × 8)同步動態(tài)RAM)
HYB 39S256160CT 256-Mbit(4banks × 4MBit × 16) Synchronous DRAM(256M(4列 × 4M位 × 16)同步動態(tài)RAM)
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參數(shù)描述
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HYB39S256400CT-7.5 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:64M X 4 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54
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