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參數(shù)資料
| 型號： | HYB 39S256400AT |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | 256-Mbit(4banks × 16MBit × 4) Synchronous DRAM(256M(4列 × 16M位 × 4)同步動態(tài)RAM) |
| 中文描述： | 256兆位（4banks × 16兆× 4）同步DRAM（256M（4列× 1,600位× 4）同步動態(tài)RAM）的 |
| 文件頁數(shù)： | 24/42頁 |
| 文件大小： | 282K |
| 代理商： | HYB 39S256400AT |
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HYB39S256400/800/160AT
256MBit Synchronous DRAM
Semiconductor Group
23
4 2. Minimum Read to Write Interval
4. 3. Non-Minimum Read to Write Interval
the Write Command
Must be Hi-Z before
Activate
CAS
latency = 2
t
, DQ’s
CK2
(Burst Length = 4, CAS latency = 2)
CLK
DQM
Command
NOP
T0
T1
Bank A
NOP
DQZ
t
T2
T3
DIN A0
DIN A1
DIN A2
SPT03939
DIN A3
1 Clk Interval
Read A
Write A
T4
T5
NOP
T6
T7
NOP
T8
"H" or "L"
t
DQW
NOP
CAS
latency = 3
t
, DQ’s
CK3
CAS
latency = 2
t
, DQ’s
CK2
DOUT A0
(Burst Length = 4, CAS latency = 2, 3)
CLK
DQM
Command
NOP
Read A
T0
T1
NOP
NOP
T2
T3
the Write Command
Must be Hi-Z before
DOUT A0
DOUT A1
DIN B0
DIN B0
DIN B1
DIN B1
SPT03940
DIN B2
DIN B2
Read A
DQZ
t
NOP
T4
T5
Write B
NOP
T6
T7
NOP
T8
"H" or "L"
t
DQW
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB 39S256800AT | 256-Mbit(4banks × 8MBit × 8) Synchronous DRAM(256M(4列 × 8M位 × 8)同步動態(tài)RAM) |
| HYB 39S256160AT | 256-Mbit(4banks × 4MBit × 16) Synchronous DRAM(256M(4列 × 4M位 × 16)同步動態(tài)RAM) |
| HYB 39S256400CT | 256-Mbit(4banks × 16MBit × 4) Synchronous DRAM(256M(4列 × 16M位 × 4)同步動態(tài)RAM) |
| HYB 39S256800CT | 256-Mbit(4banks × 8MBit × 8) Synchronous DRAM(256M(4列 × 8M位 × 8)同步動態(tài)RAM) |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYB39S256400AT-7.5 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x4 SDRAM |
| HYB39S256400AT-8 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x4 SDRAM |
| HYB39S256400AT-8A | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x4 SDRAM |
| HYB39S256400AT-8B | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x4 SDRAM |
| HYB39S256400CT-7.5 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:64M X 4 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54 |
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