參數(shù)資料
型號： M58WR064EB85ZB6T
廠商： NUMONYX
元件分類： PROM
英文描述： 4M X 16 FLASH 1.8V PROM, 85 ns, PBGA56
封裝： 7.70 X 9 MM, 0.75 MM PITCH, VFBGA-56
文件頁數(shù)： 50/81頁
文件大?。?/td> 539K
代理商： M58WR064EB85ZB6T
M58WR064ET, M58WR064EB
54/81
APPENDIX A. BLOCK ADDRESS TABLES
Table 28. Top Boot Block Addresses,
M58WR064ET
Bank
#
Size
(KWord)
Address Range
P
aram
eter
Bank
0
4
3FF000-3FFFFF
1
4
3FE000-3FEFFF
2
4
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3
4
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4
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4
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6
4
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7
4
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32
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9
32
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32
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32
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32
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13
32
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14
32
3C0000-3C7FFF
B
ank
0
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32
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16
32
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32
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32
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32
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32
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Ba
nk
1
23
32
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32
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32
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32
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30
32
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Bank
2
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32
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32
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Ban
k
3
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32
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32
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32
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32
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32
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Bank
4
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32
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48
32
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49
32
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50
32
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32
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32
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32
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B
ank
5
55
32
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32
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32
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Ban
k
6
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32
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64
32
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32
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32
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70
32
200000-207FFF
Bank
7
71
32
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32
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32
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32
1C0000-1C7FFF
相關(guān)PDF資料
PDF描述
M58WR064KU70ZA6U 4M X 16 FLASH 1.8V PROM, 70 ns, PBGA44
M5L28FGNFREQ CRYSTAL OSCILLATOR, CLOCK, 1.544 MHz - 125 MHz, HCMOS OUTPUT
M3L13TCNFREQ CRYSTAL OSCILLATOR, CLOCK, 1.544 MHz - 125 MHz, HCMOS OUTPUT
M3L14FCNFREQ CRYSTAL OSCILLATOR, CLOCK, 1.544 MHz - 125 MHz, HCMOS OUTPUT
M3L15TGNFREQ CRYSTAL OSCILLATOR, CLOCK, 1.544 MHz - 125 MHz, HCMOS OUTPUT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
M58WR064EBZB 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:64 Mbit 4Mb x 16, Multiple Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory
M58WR064ET 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:64 Mbit 4Mb x 16, Multiple Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory
M58WR064ET10ZB6T 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:64 Mbit 4Mb x 16, Multiple Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory
M58WR064ET70ZB6T 功能描述:閃存 64M (4Mx16) 70ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
M58WR064ET80ZB6T 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:64 Mbit 4Mb x 16, Multiple Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory
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