參數(shù)資料
型號： M58WR064EB85ZB6T
廠商： NUMONYX
元件分類： PROM
英文描述： 4M X 16 FLASH 1.8V PROM, 85 ns, PBGA56
封裝： 7.70 X 9 MM, 0.75 MM PITCH, VFBGA-56
文件頁數(shù)： 66/81頁
文件大?。?/td> 539K
代理商： M58WR064EB85ZB6T
69/81
M58WR064ET, M58WR064EB
Figure 23. Block Erase Flowchart and Pseudo Code
Note: If an error is found, the Status Register must be cleared before further Program/Erase operations.
Write 20h
AI06174
Start
Write Block
Address & D0h
Read Status
Register
YES
NO
SR7 = 1
YES
NO
SR3 = 0
YES
SR4, SR5 = 1
VPP Invalid
Error (1)
Command
Sequence Error (1)
NO
SR5 = 0
Erase Error (1)
End
YES
NO
SR1 = 0
Erase to Protected
Block Error (1)
YES
erase_command ( blockToErase ) {
writeToFlash (bank_address, 0x20) ;
writeToFlash (blockToErase, 0xD0) ;
/* only A12-A20 are significannt */
/* Memory enters read status state after
the Erase Command */
} while (status_register.SR7== 0) ;
do {
status_register=readFlash (bank_address) ;
/* E or G must be toggled*/
if (status_register.SR3==1) /*VPP invalid error */
error_handler ( ) ;
if ( (status_register.SR4==1) && (status_register.SR5==1) )
/* command sequence error */
error_handler ( ) ;
if (status_register.SR1==1) /*program to protect block error */
error_handler ( ) ;
if ( (status_register.SR5==1) )
/* erase error */
error_handler ( ) ;
}
相關(guān)PDF資料
PDF描述
M58WR064KU70ZA6U 4M X 16 FLASH 1.8V PROM, 70 ns, PBGA44
M5L28FGNFREQ CRYSTAL OSCILLATOR, CLOCK, 1.544 MHz - 125 MHz, HCMOS OUTPUT
M3L13TCNFREQ CRYSTAL OSCILLATOR, CLOCK, 1.544 MHz - 125 MHz, HCMOS OUTPUT
M3L14FCNFREQ CRYSTAL OSCILLATOR, CLOCK, 1.544 MHz - 125 MHz, HCMOS OUTPUT
M3L15TGNFREQ CRYSTAL OSCILLATOR, CLOCK, 1.544 MHz - 125 MHz, HCMOS OUTPUT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
M58WR064EBZB 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:64 Mbit 4Mb x 16, Multiple Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory
M58WR064ET 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:64 Mbit 4Mb x 16, Multiple Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory
M58WR064ET10ZB6T 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:64 Mbit 4Mb x 16, Multiple Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory
M58WR064ET70ZB6T 功能描述:閃存 64M (4Mx16) 70ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類型: 接口類型:SPI 訪問時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
M58WR064ET80ZB6T 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:64 Mbit 4Mb x 16, Multiple Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory
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