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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | W25X10BVSNIG |
| 廠商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 1M X 1 FLASH 2.7V PROM, PDSO8 |
| 封裝： | 0.150 INCH, GREEN, PLASTIC, SOIC-8 |
| 文件頁數(shù)： | 37/51頁 |
| 文件大?。?/td> | 1632K |
| 代理商： | W25X10BVSNIG |
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W25X10BV/20BV/40BV
- 42 -
10.7 AC Electrical Characteristics (cont’d)
SPEC
DESCRIPTION
SYMBOL
ALT
MIN
TYP
MAX
UNIT
/HOLD Active Setup Time relative to CLK
tHLCH
5
ns
/HOLD Active Hold Time relative to CLK
tCHHH
5
ns
/HOLD Not Active Setup Time relative to CLK
tHHCH
5
ns
/HOLD Not Active Hold Time relative to CLK
tCHHL
5
ns
/HOLD to Output Low-Z
tHHQX(2)
tLZ
7
ns
/HOLD to Output High-Z
tHLQZ(2)
tHZ
12
ns
Write Protect Setup Time Before /CS Low
tWHSL(3)
20
ns
Write Protect Hold Time After /CS High
tSHWL(3)
100
ns
/CS High to Power-down Mode
tDP(2)
3
s
/CS High to Standby Mode without Electronic
Signature Read
tRES1(2)
3
s
/CS High to Standby Mode with Electronic
Signature Read
tRES2(2)
1.8
s
Write Status Register Time
tW
10
15
ms
Byte Program Time (First Byte) (4)
tBP1
30
50
s
Additional Byte Program Time (After First Byte) (4)
tBP2
2.5
12
s
Page Program Time
tPP
0.7
3
ms
Sector Erase Time (4KB)
tSE
30
200
ms
Block Erase Time (32KB)
tBE1
120
800
ms
Block Erase Time (64KB)
tBE2
150
1,000
ms
Chip Erase Time W25X10BV / W25X20BV
Chip Erase Time W25X40BV
tCE
0.5
1
2
4
s
Notes:
1.
Clock high + Clock low must be less than or equal to 1/fC.
2.
Value guaranteed by design and/or characterization, not 100% tested in production.
3.
Only applicable as a constraint for a Write Status Register instruction when SRP is set to 1.
4.
For multiple bytes after first byte within a page,
tBPN = tBP1 + tBP2 * N (typical) and tBPN = tBP1 + tBP2 * N (max), where
N = number of bytes programmed.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| W3EG6467S403D4SG | 64M X 64 DDR DRAM MODULE, 0.7 ns, DMA200 |
| W7NCF02GH10CSAEG | 128M X 16 FLASH 3.3V PROM CARD, 150 ns, UUC |
| W7NCF04GH10CSAADM1G | FLASH 3.3V PROM MODULE, XMA50 |
| W7NCF04GH10ISA3FM1G | FLASH 3.3V PROM MODULE, XMA50 |
| W7NCF04GH10ISA9HM1G | FLASH 3.3V PROM MODULE, XMA50 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| W25X10BVZPIG | 功能描述:IC SPI FLASH 1MBIT 8WSON RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:SpiFlash® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:4K (512 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:2.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-MFP 包裝:帶卷 (TR) |
| W25X10CLSNIG | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:Flash Serial-SPI 2.5V/3.3V 1Mbit 128K/64K x 8bit/16bit 8ns 8-Pin SOIC 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:IC FLASH 1MBIT 104MHZ 8SOIC |
| W25X10CLSNIG TR | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:SPIFLASH, 1M-BIT, 4KB UNIFORM 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:IC MEMORY |
| W25X10CLZPIG | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:IC FLASH 1MBIT 104MHZ 8WSON |
| W25X10CLZPIG TR | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:IC FLASH 1MBIT 104MHZ 8WSON |
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