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參數(shù)資料
| 型號： | W25X10BVSNIG |
| 廠商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 1M X 1 FLASH 2.7V PROM, PDSO8 |
| 封裝： | 0.150 INCH, GREEN, PLASTIC, SOIC-8 |
| 文件頁數(shù)： | 8/51頁 |
| 文件大?。?/td> | 1632K |
| 代理商： | W25X10BVSNIG |
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W25X10BV/20BV/40BV
- 16 -
9.2.3
Write Enable (06h)
The Write Enable instruction (Figure 4) sets the Write Enable Latch (WEL) bit in the Status Register to
a 1. The WEL bit must be set prior to every Page Program, Sector Erase, Block Erase, Chip Erase
and Write Status Register instruction. The Write Enable instruction is entered by driving /CS low,
shifting the instruction code “06h” into the Data Input (DI) pin on the rising edge of CLK, and then
driving /CS high.
Figure 4. Write Enable Instruction Sequence Diagram
9.2.4
Write Disable (04h)
The Write Disable instruction (Figure 5) resets the Write Enable Latch (WEL) bit in the Status Register
to a 0. The Write Disable instruction is entered by driving /CS low, shifting the instruction code “04h”
into the DIO pin and then driving /CS high. Note that the WEL bit is automatically reset after Power-up
and upon completion of the Write Status Register, Page Program, Sector Erase, Block Erase and
Chip Erase instructions.
Figure 5. Write Disable Instruction Sequence Diagram
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| W3EG6467S403D4SG | 64M X 64 DDR DRAM MODULE, 0.7 ns, DMA200 |
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| W7NCF04GH10ISA3FM1G | FLASH 3.3V PROM MODULE, XMA50 |
| W7NCF04GH10ISA9HM1G | FLASH 3.3V PROM MODULE, XMA50 |
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參數(shù)描述 |
|---|---|
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| W25X10CLSNIG TR | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:SPIFLASH, 1M-BIT, 4KB UNIFORM 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:IC MEMORY |
| W25X10CLZPIG | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:IC FLASH 1MBIT 104MHZ 8WSON |
| W25X10CLZPIG TR | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:IC FLASH 1MBIT 104MHZ 8WSON |
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