參數資料
| 型號： | XCF128XFTG64C |
| 廠商： | Xilinx Inc |
| 文件頁數： | 40/88頁 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC PROM SRL 128M GATE 64-FTBGA |
| 標準包裝： | 1 |
| 可編程類型： | 系統(tǒng)內可編程 |
| 存儲容量： | 128Mb |
| 電源電壓： | 1.7 V ~ 2 V |
| 工作溫度： | -40°C ~ 85°C |
| 封裝/外殼： | 64-TBGA |
| 供應商設備封裝： | 64-TFBGA |
| 包裝： | 托盤 |
| 產品目錄頁面： | 601 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名稱： | 122-1578 |
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Platform Flash XL High-Density Configuration and Storage Device
DS617 (v3.0.1) January 07, 2010
Product Specification
45
R
Table 25: Capacitance(1)
Symbol
Parameter
Test condition
Min
Max
Unit
CIN
Input capacitance
VIN = 0V
6
8
pF
COUT
Output capacitance
VOUT = 0V
8
12
pF
Notes:
1.
Sampled only, not 100% tested.
Table 26: DC Characteristics: Currents
Symbol
Parameter
Test Condition
Typ
Max
Unit
ILI
Input leakage current
0V = VIN = VDDQ
–±1
A
ILO
Output leakage current
0V = VOUT = VDDQ
–±1
A
IDD1
Supply current asynchronous read
(F = 5 MHz)
E = VIL, G = VIH
14
16
mA
Supply current synchronous read
(F = 40 MHz)
4 word
13
17
mA
8 word
15
19
mA
16 word
17
21
mA
Continuous
21
26
mA
Supply current synchronous read
(F = 54 MHz)
4 word
16
19
mA
8 word
19
23
mA
16 word
22
26
mA
Continuous
23
28
mA
IDD2
Supply current (reset)
RP = VSS ± 0.2V
25
75
A
IDD3
Supply current (standby)
E = VDDQ ± 0.2V
K=VSS
25
75
A
IDD4
Supply current (automatic standby)
E = VIL, G = VIH
25
75
A
IDD5(1)
Supply current (program)
VPP = VPPH
820
mA
VPP = VDDQ
10
25
mA
Supply current (erase)
VPP = VPPH
820
mA
VPP = VDDQ
10
25
mA
IDD6(1),(2)
Supply current (dual operations)
Program/Erase in one Bank,
Asynchronous Read in another Bank
24
41
mA
Program/Erase in one Bank,
Synchronous Read (Continuous f =
54 MHz) in another Bank
33
53
mA
IDD7(1)
Supply current program/erase
suspended (standby)
E = VDDQ ± 0.2V
K=VSS
25
75
A
IPP1(1)
VPP supply current (program)
VPP = VPPH
25
mA
VPP = VDDQ
0.2
5
A
VPP supply current (erase)
VPP = VPPH
25
mA
VPP = VDDQ
0.2
5
A
IPP2
VPP supply current (read)
VPP = VDDQ
0.2
5
A
IPP3(1)
VPP supply current (standby)
VPP = VDDQ
0.2
5
A
Notes:
1.
Sampled only, not 100% tested.
2.
VDD dual operation current is the sum of read and program or erase currents.
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