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參數(shù)資料
| 型號： | AM29LV2562MH120PII |
| 廠商： | Advanced Micro Devices, Inc. |
| 英文描述： | 512 Megabit (16 M x 32-Bit/32 M x 16-Bit) MirrorBit⑩ 3.0 Volt-only Uniform Sector Flash Memory with VersatileI/O⑩ Control |
| 中文描述： | 512兆位（16 M中的x 32-Bit/32 M中的x 16位），3.0伏的MirrorBit⑩只均勻部門閃存記憶體與VersatileI /輸出⑩控制 |
| 文件頁數(shù)： | 60/67頁 |
| 文件大?。?/td> | 473K |
| 代理商： | AM29LV2562MH120PII |
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58
Am29LV2562M
December 16, 2005
D A T A S H E E T
AC CHARACTERISTICS
Temporary Sector Unprotect
Note:
1. Not 100% tested.
2. AC specifications listed are tested with V
IO
= V
CC
. Contact AMD for information on AC operation when V
IO
≠
V
CC
Parameter
All Speed Options
JEDEC
Std
Description
Unit
t
VIDR
V
ID
Rise and Fall Time (See Note)
Min
500
ns
t
RSP
RESET# Setup Time for Temporary Sector
Unprotect
Min
4
μs
RESET#
t
VIDR
V
ID
V
SS
, V
IL
,
or V
IH
V
ID
V
SS
, V
IL
,
or V
IH
CE#
WE#
RY/BY#
t
VIDR
t
RSP
Program or Erase Command Sequence
t
RRB
Figure 22.
Temporary Sector Group Unprotect Timing Diagram
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AM29LV256MH103RPGF | 256 Megabit (16 M x 16-Bit/32 M x 8-Bit) MirrorBitTM 3.0 Volt-only Uniform Sector Flash Memory with VersatileI/OTM Control |
| AM29LV256MH100EF | 256 Megabit (16 M x 16-Bit/32 M x 8-Bit) MirrorBitTM 3.0 Volt-only Uniform Sector Flash Memory with VersatileI/OTM Control |
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相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| AM29LV320DB120EI | 制造商:Spansion 功能描述:Flash Mem Parallel 3V/3.3V 32M-Bit 4M x 8/2M x 16 120ns 48-Pin TSOP |
| AM29LV320DB120WMI | 制造商:Spansion 功能描述:Flash Mem Parallel 3V/3.3V 32M-Bit 4M x 8/2M x 16 120ns 48-Pin FBGA |
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