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參數(shù)資料
| 型號： | APMOTOR56F8000E |
| 廠商： | Freescale Semiconductor |
| 文件頁數(shù)： | 124/124頁 |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述： | KIT DEMO MOTOR CTRL SYSTEM |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 1 |
| 附件類型： | 電機控制器 |
| 適用于相關(guān)產(chǎn)品： | DEMO56F8013，DEMO56F8013-E |
| 相關(guān)產(chǎn)品： | MC56F8006VWL-ND - DSC 16K FLASH 32MHZ 28-SOIC MC56F8006VLF-ND - DSC 16K FLASH 32MHZ 48-LQFP MC56F8006VLC-ND - DSC 16K FLASH 32MHZ 32-LQFP MC56F8002VWL-ND - DSC 12K FLASH 32MHZ 28-SOIC DEMO56F8014-E-ND - BOARD DEMO MC56F8014 W/UNIV PS DEMO56F8014-ND - BOARD DEMO MC56F8014 W/US PS DEMO56F8014-EE-ND - BOARD DEMO FOR 56F8014 DEMO56F8013-EE-ND - BOARD DEMO FOR 56F8013 MC56F8014VFAE-ND - IC DIGITAL SIGNAL CTRLR 32-LQFP MC56F8013VFAE-ND - IC DIGITAL SIGNAL CTLR 32-LQFP 更多... |
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Flash Memory Characteristics
56F8014 Technical Data, Rev. 11
Freescale Semiconductor
99
Figure 10-2 Input Signal Measurement References
Figure 10-3 shows the definitions of the following signal states:
Active state, when a bus or signal is driven, and enters a low impedance state
Tri-stated, when a bus or signal is placed in a high impedance state
Data Valid state, when a signal level has reached VOL or VOH
Data Invalid state, when a signal level is in transition between VOL and VOH
Figure 10-3 Signal States
10.4 Flash Memory Characteristics
Table 10-9 Flash Timing Parameters
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Program time1
1. There is additional overhead which is part of the programming sequence. See the 56F801X Peripheral Reference
Manual for details.
Tprog
20
—
40
μs
Erase time2
2. Specifies page erase time. There are 512 bytes per page in the Program Flash memory.
Terase
20
—
ms
Mass erase time
Tme
100
—
ms
VIH
VIL
Fall Time
Input Signal
Note: The midpoint is VIL + (VIH – VIL)/2.
Midpoint1
Low
High
90%
50%
10%
Rise Time
Data Invalid State
Data1
Data2 Valid
Data
Tri-stated
Data3 Valid
Data2
Data3
Data1 Valid
Data Active
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PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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