參數(shù)資料
型號： CY7C1339G-200AXCT
廠商： CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： SRAM
英文描述： 128K X 32 CACHE SRAM, 2.8 ns, PQFP100
封裝： 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, MS-026, TQFP-100
文件頁數(shù)： 4/18頁
文件大?。?/td> 386K
代理商： CY7C1339G-200AXCT
CY7C1339G
Document #: 38-05520 Rev. *F
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Write Cycle Timing[18, 19]
Note:
19. Full width write can be initiated by either GW LOW; or by GW HIGH, BWE LOW and BW[A:D] LOW.
Switching Waveforms (continued)
tCYC
tCL
CLK
ADSP
tADH
tADS
ADDRESS
tCH
OE
ADSC
CE
tAH
tAS
A1
tCEH
tCES
BWE,
BW[A :D]
Data Out (Q)
High-Z
ADV
BURST READ
BURST WRITE
D(A2)
D(A2 + 1)
D(A1)
D(A3)
D(A3 + 1)
D(A3 + 2)
D(A2 + 3)
A2
A3
Data In (D)
Extended BURST WRITE
D(A2 + 2)
Single WRITE
tADH
tADS
tADH
tADS
t
OEHZ
t
ADVH
t
ADVS
tWEH
tWES
tDH
tDS
GW
tWEH
tWES
Byte write signals are
ignored for first cycle when
ADSP initiates burst
ADSC extends burst
ADV suspends burst
DON’T CARE
UNDEFINED
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
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