參數(shù)資料
型號： CY7C1512JV18-267BZXC
廠商： CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： SRAM
英文描述： 4M X 18 QDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165
封裝： 15 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, MO-216, FBGA-165
文件頁數(shù)： 14/26頁
文件大?。?/td> 648K
代理商： CY7C1512JV18-267BZXC
CY7C1510JV18, CY7C1525JV18
CY7C1512JV18, CY7C1514JV18
Document #: 001-14435 Rev. *F
Page 21 of 26
AC Electrical Characteristics
Over the Operating Range [11]
Parameter
Description
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
VIH
Input HIGH Voltage
VREF + 0.2
–
V
VIL
Input LOW Voltage
–
VREF – 0.2
V
Capacitance
Tested initially and after any design or process change that may affect these parameters.
Parameter
Description
Test Conditions
Max
Unit
CIN
Input Capacitance
TA = 25°C, f = 1 MHz, VDD = 1.8V, VDDQ = 1.5V
5.5
pF
CCLK
Clock Input Capacitance
8.5
pF
CO
Output Capacitance
6pF
Thermal Resistance
Tested initially and after any design or process change that may affect these parameters.
Parameter
Description
Test Conditions
165 FBGA
Package
Unit
Θ
JA
Thermal Resistance
(Junction to Ambient)
Test conditions follow standard test methods and
procedures for measuring thermal impedance, in
accordance with EIA/JESD51.
16.3
°C/W
Θ
JC
Thermal Resistance
(Junction to Case)
2.1
°C/W
Figure 4. AC Test Loads and Waveforms
1.25V
0.25V
R = 50
Ω
5pF
INCLUDING
JIG AND
SCOPE
ALL INPUT PULSES
DEVICE
RL = 50Ω
Z0 = 50Ω
VREF = 0.75V
0.75V
UNDER
TEST
0.75V
DEVICE
UNDER
TEST
OUTPUT
0.75V
VREF
OUTPUT
ZQ
(a)
SLEW RATE= 2 V/ns
RQ =
250
Ω
(b)
RQ =
250
Ω
Note
20. Unless otherwise noted, test conditions are based on signal transition time of 2V/ns, timing reference levels of 0.75V, Vref = 0.75V, RQ = 250
Ω, V
DDQ = 1.5V, input
pulse levels of 0.25V to 1.25V, and output loading of the specified IOL/IOH and load capacitance shown in (a) of AC Test Loads and Waveforms.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CY7C1515AV18-250BZXI 2M X 36 QDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165
CY7C1522JV18-250BZI 8M X 8 DDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165
CY7C1524KV18-333BZI 2M X 36 DDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165
CY7C1612KV18-333BZXC 8M X 18 QDR SRAM, PBGA165
CY7C256-45PC 32K X 8 OTPROM, 45 ns, PDIP28
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參數(shù)描述
CY7C1512KV18-200BZXC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 4Mb x 18 200 MHz RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1512KV18-200BZXI 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:
CY7C1512KV18-250BZC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 72MB (4Mx18) 1.8v 250MHz QDR II 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1512KV18-250BZCT 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 4Mx18 72MB 2.9V RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1512KV18-250BZI 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 72MB (4Mx18) 1.8v 250MHz QDR II 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
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