參數(shù)資料
型號(hào)： CY7C1512JV18-267BZXC
廠商： CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： SRAM
英文描述： 4M X 18 QDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165
封裝： 15 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, MO-216, FBGA-165
文件頁(yè)數(shù)： 17/26頁(yè)
文件大?。?/td> 648K
代理商： CY7C1512JV18-267BZXC
CY7C1510JV18, CY7C1525JV18
CY7C1512JV18, CY7C1514JV18
Document #: 001-14435 Rev. *F
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Speed
(MHz)
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Diagram
Package Type
Operating
Range
267
CY7C1510JV18-267BZC
51-85195 165-Ball Fine Pitch Ball Grid Array (15 x 17 x 1.4 mm)
Commercial
CY7C1525JV18-267BZC
CY7C1512JV18-267BZC
CY7C1514JV18-267BZC
CY7C1510JV18-267BZXC
51-85195 165-Ball Fine Pitch Ball Grid Array (15 x 17 x 1.4 mm) Pb-Free
CY7C1525JV18-267BZXC
CY7C1512JV18-267BZXC
CY7C1514JV18-267BZXC
CY7C1510JV18-267BZI
51-85195 165-Ball Fine Pitch Ball Grid Array (15 x 17 x 1.4 mm)
Industrial
CY7C1525JV18-267BZI
CY7C1512JV18-267BZI
CY7C1514JV18-267BZI
CY7C1510JV18-267BZXI
51-85195 165-Ball Fine Pitch Ball Grid Array (15 x 17 x 1.4 mm) Pb-Free
CY7C1525JV18-267BZXI
CY7C1512JV18-267BZXI
CY7C1514JV18-267BZXI
250
CY7C1510JV18-250BZC
51-85195 165-Ball Fine Pitch Ball Grid Array (15 x 17 x 1.4 mm)
Commercial
CY7C1525JV18-250BZC
CY7C1512JV18-250BZC
CY7C1514JV18-250BZC
CY7C1510JV18-250BZXC
51-85195 165-Ball Fine Pitch Ball Grid Array (15 x 17 x 1.4 mm) Pb-Free
CY7C1525JV18-250BZXC
CY7C1512JV18-250BZXC
CY7C1514JV18-250BZXC
CY7C1510JV18-250BZI
51-85195 165-Ball Fine Pitch Ball Grid Array (15 x 17 x 1.4 mm)
Industrial
CY7C1525JV18-250BZI
CY7C1512JV18-250BZI
CY7C1514JV18-250BZI
CY7C1510JV18-250BZXI
51-85195 165-Ball Fine Pitch Ball Grid Array (15 x 17 x 1.4 mm) Pb-Free
CY7C1525JV18-250BZXI
CY7C1512JV18-250BZXI
CY7C1514JV18-250BZXI
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CY7C1515AV18-250BZXI 2M X 36 QDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165
CY7C1522JV18-250BZI 8M X 8 DDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165
CY7C1524KV18-333BZI 2M X 36 DDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165
CY7C1612KV18-333BZXC 8M X 18 QDR SRAM, PBGA165
CY7C256-45PC 32K X 8 OTPROM, 45 ns, PDIP28
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CY7C1512KV18-200BZXC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 4Mb x 18 200 MHz RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1512KV18-200BZXI 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:
CY7C1512KV18-250BZC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 72MB (4Mx18) 1.8v 250MHz QDR II 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1512KV18-250BZCT 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 4Mx18 72MB 2.9V RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1512KV18-250BZI 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 72MB (4Mx18) 1.8v 250MHz QDR II 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問(wèn)時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
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