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參數(shù)資料
| 型號： | CY7C1524KV18-333BZI |
| 廠商： | CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | SRAM |
| 英文描述： | 2M X 36 DDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165 |
| 封裝： | 15 X 13 MM, 1.40 MM HEIGHT, MO-216, FBGA-165 |
| 文件頁數(shù)： | 13/32頁 |
| 文件大?。?/td> | 883K |
| 代理商： | CY7C1524KV18-333BZI |
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CY7C1522KV18, CY7C1529KV18
CY7C1523KV18, CY7C1524KV18
Document Number: 001-00438 Rev. *F
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Power Up Sequence in DDR II SRAM
DDR II SRAMs must be powered up and initialized in a
predefined manner to prevent undefined operations.
Power Up Sequence
■ Apply power and drive DOFF either HIGH or LOW (All other
inputs can be HIGH or LOW).
Apply VDD before VDDQ.
Apply VDDQ before VREF or at the same time as VREF.
Drive DOFF HIGH.
■ Provide stable DOFF (HIGH), power and clock (K, K) for 20 μs
to lock the PLL.
PLL Constraints
■ PLL uses K clock as its synchronizing input. The input must
have low phase jitter, which is specified as tKC Var.
■ The PLL functions at frequencies down to 120 MHz.
■ If the input clock is unstable and the PLL is enabled, then the
PLL may lock onto an incorrect frequency, causing unstable
SRAM behavior. To avoid this, provide 20
μs of stable clock to
relock to the desired clock frequency.
Figure 3. Power Up Waveforms
> 20 s Stable clock
Start Normal
Operation
DOFF
Stable (< +/- 0.1V DC per 50ns )
Fix HIGH (or tie to VDDQ)
K
DDQ
DD
V
/
DDQ
DD
V
/
Clock Start (Clock Starts after
Stable)
DDQ
DD
V
/
~ ~
~~
Unstable Clock
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CY7C1612KV18-333BZXC | 8M X 18 QDR SRAM, PBGA165 |
| CY7C256-45PC | 32K X 8 OTPROM, 45 ns, PDIP28 |
| CY7C2561KV18-450BZC | 8M X 8 QDR SRAM, 0.37 ns, PBGA165 |
| CY7C2566KV18-450BZI | 8M X 8 DDR SRAM, 0.37 ns, PBGA165 |
| CY7C293AL-35WC | 2K X 8 UVPROM, 35 ns, CDIP24 |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| CY7C1525JV18250BZC | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述: |
| CY7C1525JV18-250BZC | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 8M x 9 1.8V QDR-II 靜態(tài)隨機存取存儲器 Two-Word Burst RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1525JV18-250BZCES | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述: |
| CY7C1525JV18-250BZXC | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 8M x 9 1.8V QDR-II 靜態(tài)隨機存取存儲器 Two-Word Burst RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1525KV18-250BZC | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 72MB (8Mx9) 1.8v 250MHz QDR II 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
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