參數(shù)資料
型號(hào)： CY7C1524KV18-333BZI
廠商： CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： SRAM
英文描述： 2M X 36 DDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165
封裝： 15 X 13 MM, 1.40 MM HEIGHT, MO-216, FBGA-165
文件頁數(shù)： 7/32頁
文件大小： 883K
代理商： CY7C1524KV18-333BZI
CY7C1522KV18, CY7C1529KV18
CY7C1523KV18, CY7C1524KV18
Document Number: 001-00438 Rev. *F
Page 15 of 32
TAP Controller State Diagram
The state diagram for the TAP controller follows. [9]
TEST-LOGIC
RESET
TEST-LOGIC/
IDLE
SELECT
DR-SCAN
CAPTURE-DR
SHIFT-DR
EXIT1-DR
PAUSE-DR
EXIT2-DR
UPDATE-DR
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
1
0
SELECT
IR-SCAN
CAPTURE-IR
SHIFT-IR
EXIT1-IR
PAUSE-IR
EXIT2-IR
UPDATE-IR
Note
9. The 0/1 next to each state represents the value at TMS at the rising edge of TCK.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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CY7C256-45PC 32K X 8 OTPROM, 45 ns, PDIP28
CY7C2561KV18-450BZC 8M X 8 QDR SRAM, 0.37 ns, PBGA165
CY7C2566KV18-450BZI 8M X 8 DDR SRAM, 0.37 ns, PBGA165
CY7C293AL-35WC 2K X 8 UVPROM, 35 ns, CDIP24
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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CY7C1525JV18-250BZXC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 8M x 9 1.8V QDR-II 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 Two-Word Burst RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1525KV18-250BZC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 72MB (8Mx9) 1.8v 250MHz QDR II 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
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