參數(shù)資料
型號： CY7C1524KV18-333BZI
廠商： CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： SRAM
英文描述： 2M X 36 DDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165
封裝： 15 X 13 MM, 1.40 MM HEIGHT, MO-216, FBGA-165
文件頁數(shù)： 15/32頁
文件大小： 883K
代理商： CY7C1524KV18-333BZI
CY7C1522KV18, CY7C1529KV18
CY7C1523KV18, CY7C1524KV18
Document Number: 001-00438 Rev. *F
Page 22 of 32
IDD [19]
VDD Operating Supply
VDD = Max,
IOUT = 0 mA,
f = fMAX = 1/tCYC
200 MHz
(x8)
370
mA
(x9)
370
(x18)
380
(x36)
450
167 MHz
(x8)
340
mA
(x9)
340
(x18)
340
(x36)
400
ISB1
Automatic Power Down
Current
Max VDD,
Both Ports Deselected,
VIN ≥ VIH or VIN ≤ VIL
f = fMAX = 1/tCYC,
Inputs Static
333 MHz
(x8)
290
mA
(x9)
290
(x18)
290
(x36)
290
300 MHz
(x8)
280
mA
(x9)
280
(x18)
280
(x36)
280
250 MHz
(x8)
270
mA
(x9)
270
(x18)
270
(x36)
270
200 MHz
(x8)
250
mA
(x9)
250
(x18)
250
(x36)
250
167 MHz
(x8)
250
mA
(x9)
250
(x18)
250
(x36)
250
AC Electrical Characteristics
Over the Operating Range [11]
Parameter
Description
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
VIH
Input HIGH Voltage
VREF + 0.2
–
V
VIL
Input LOW Voltage
–
VREF – 0.2
V
Electrical Characteristics (continued)
DC Electrical Characteristics
Over the Operating Range [12]
Parameter
Description
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CY7C1612KV18-333BZXC 8M X 18 QDR SRAM, PBGA165
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參數(shù)描述
CY7C1525JV18250BZC 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:
CY7C1525JV18-250BZC 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 8M x 9 1.8V QDR-II 靜態(tài)隨機存取存儲器 Two-Word Burst RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1525JV18-250BZCES 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:
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CY7C1525KV18-250BZC 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 72MB (8Mx9) 1.8v 250MHz QDR II 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
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