參數資料
型號： CY7C1524KV18-333BZI
廠商： CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： SRAM
英文描述： 2M X 36 DDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165
封裝： 15 X 13 MM, 1.40 MM HEIGHT, MO-216, FBGA-165
文件頁數： 9/32頁
文件大?。?/td> 883K
代理商： CY7C1524KV18-333BZI
CY7C1522KV18, CY7C1529KV18
CY7C1523KV18, CY7C1524KV18
Document Number: 001-00438 Rev. *F
Page 17 of 32
TAP AC Switching Characteristics
Over the Operating Range [13, 14]
Parameter
Description
Min
Max
Unit
tTCYC
TCK Clock Cycle Time
50
ns
tTF
TCK Clock Frequency
20
MHz
tTH
TCK Clock HIGH
20
ns
tTL
TCK Clock LOW
20
ns
Setup Times
tTMSS
TMS Setup to TCK Clock Rise
5
ns
tTDIS
TDI Setup to TCK Clock Rise
5
ns
tCS
Capture Setup to TCK Rise
5
ns
Hold Times
tTMSH
TMS Hold after TCK Clock Rise
5
ns
tTDIH
TDI Hold after Clock Rise
5
ns
tCH
Capture Hold after Clock Rise
5
ns
Output Times
tTDOV
TCK Clock LOW to TDO Valid
10
ns
tTDOX
TCK Clock LOW to TDO Invalid
0
ns
TAP Timing and Test Conditions
Figure 2 shows the TAP timing and test conditions. [14]
Figure 2. TAP Timing and Test Conditions
tTL
tTH
(a)
TDO
CL = 20 pF
Z0 = 50Ω
GND
0.9V
50
Ω
1.8V
0V
ALL INPUT PULSES
0.9V
Test Clock
Test Mode Select
TCK
TMS
Test Data In
TDI
Test Data Out
tTCYC
tTMSH
tTMSS
tTDIS
tTDIH
tTDOV
tTDOX
TDO
Notes
13. tCS and tCH refer to the setup and hold time requirements of latching data from the boundary scan register.
14. Test conditions are specified using the load in TAP AC Test Conditions. tR/tF = 1 ns.
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PDF描述
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