參數(shù)資料
型號： IS43R16160A-6T
廠商： INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
元件分類： DRAM
英文描述： 16Meg x 16 256-MBIT DDR SDRAM
中文描述： 16M X 16 DDR DRAM, 0.7 ns, PDSO66
封裝： PLASTIC, TSOP2-66
文件頁數(shù)： 33/56頁
文件大?。?/td> 792K
代理商： IS43R16160A-6T
Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774
Rev. 00B
11/28/05
33
ISSI
IS43R16160A
Half clock period
t
HP
t
CH,
t
CL
t
CH,
t
CL
ns
34
Data-out high-impedance window from
CK/CK
t
HZ
-0.65
+0.65
-0.7
+0.7
ns
18
Data-out low-impedance window from
CK/CK
t
LZ
-0.65
+0.65
-0.7
+0.7
ns
18
Address and control input hold time
(fast slew rate)
t
IH
F
0.60
0.75
ns
14
Address and control input setup time
(fast slew rate)
t
IS
F
0.60
0.75
ns
14
Address and control input hold time
(slow slew rate)
t
IH
S
0.70
0.80
ns
14
Address and control input setup time
(slow slew rate)
t
IS
S
0.70
0.80
ns
14
LOAD MODE REGISTER command cy-
cle time
t
MRD
2
2
t
CK
DQ-DQS hold, DQS to first DQ to go non-
valid,
per access
t
QH
t
HP
-
t
QHS
t
HP
-
t
QHS
ns
25, 26
Data hold skew factor
t
QHS
0.50
0.55
ns
ACTIVE to PRECHARGE command
t
RAS
40
15
18
70,000
42
120,000
ns
35
ACTIVE to READ with Auto precharge
command
t
RAP
ns
46
ACTIVE to ACTIVE/AUTO REFRESH
command period
t
RC
60
70
72
60
ns
AUTO REFRESH command period
t
RFC
ns
50
ACTIVE to READ or WRITE delay
t
RCD
15
18
ns
PRECHARGE command period
t
RP
15
18
ns
DQS read preamble
t
RPRE
0.9
1.1
0.9
1.1
t
CK
42
DQS read postamble
t
RPST
0.4
0.6
0.4
0.6
t
CK
ACTIVE bank a to ACTIVE bank b com-
mand
t
RRD
10
12
ns
DQS write preamble
t
WPRE
0.25
0.25
t
CK
DQS write preamble setup time
t
WPRES
0
0
ns
20, 21
DQS write postamble
t
WPST
0.4
0.6
0.4
0.6
t
CK
19
Write recovery time
t
WR
15
15
ns
Internal WRITE to READ command delay
t
WTR
2
1
t
CK
Data valid output window
na
t
QH -
t
DQSQ
t
QH -
t
DQSQ
ns
25
AC CHARACTERISTICS
-5
-6
PARAMETER
SYM-
BOL
MIN
MAX
MIN
MAX
UNITS
NOTES
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IS43R16160A 16Meg x 16 256-MBIT DDR SDRAM
IS43R16320A 32Meg x 16 512-MBIT DDR SDRAM
IS43R16320A-6TL 32Meg x 16 512-MBIT DDR SDRAM
IS43R16800A-6 8Meg x 16 128-MBIT DDR SDRAM
IS43R16800A-6T 8Meg x 16 128-MBIT DDR SDRAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IS43R16160B 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:32Mx8, 16Mx16 256Mb DDR Synchronous DRAM
IS43R16160B-5BI 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:32Mx8, 16Mx16 256Mb DDR Synchronous DRAM
IS43R16160B-5BL 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 256M (16Mx16) 400MHz DDR 2.5v RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
IS43R16160B-5BLI 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 256M (16Mx16) 400MHz DDR 2.5v RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
IS43R16160B-5BLI-TR 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 256M (16Mx16) 400MHz DDR 2.5v RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
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