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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IS43R16160A-6T |
| 廠商： | INTEGRATED SILICON SOLUTION INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 16Meg x 16 256-MBIT DDR SDRAM |
| 中文描述： | 16M X 16 DDR DRAM, 0.7 ns, PDSO66 |
| 封裝： | PLASTIC, TSOP2-66 |
| 文件頁數(shù)： | 42/56頁 |
| 文件大?。?/td> | 792K |
| 代理商： | IS43R16160A-6T |
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42
Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774
Rev. 00B
11/28/05
ISSI
IS43R16160A
Half strength driver
1. The nominal pulldown V-I curve for DDR SDRAM devices will be within the inner bounding lines of the V-I curve of Figure a.
2. The full variation in driver pulldown current from minimum to maximum process, temperature and voltage will lie within the outer
bounding lines the of the V-I curve of Figure a.
3. The nominal pullup V-I curve for DDR SDRAM devices will be within the inner bounding lines of the V-I curve of below Figure b.
4. The Full variation in driver pullup current from minimum to maximum process, temperature and voltage will lie within the outer
bounding lines of the V-I curve of Figure b.
5. The full variation in the ratio of the maximum to minimum pullup and pulldown current will not exceed 1.7, for device drain to source
voltage from 0 to VDDQ/2
6. The Full variation in the ratio of the nominal pullup to pulldown current should be unity ±10%, for device drain to source voltages
from 0 to VDDQ/2
I
20
Minimum
Typical Low
Typical High
Maximum
0
10
30
40
50
60
70
80
90
0.0
1.0
2.0
I
Vout(V)
Maximum
Typical High
Minumum
Typical Low
I
-90
-80
-70
-60
-50
-40
-30
-20
-10
0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
V
DDQ
Vout(V)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IS43R16160A | 16Meg x 16 256-MBIT DDR SDRAM |
| IS43R16320A | 32Meg x 16 512-MBIT DDR SDRAM |
| IS43R16320A-6TL | 32Meg x 16 512-MBIT DDR SDRAM |
| IS43R16800A-6 | 8Meg x 16 128-MBIT DDR SDRAM |
| IS43R16800A-6T | 8Meg x 16 128-MBIT DDR SDRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IS43R16160B | 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:32Mx8, 16Mx16 256Mb DDR Synchronous DRAM |
| IS43R16160B-5BI | 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:32Mx8, 16Mx16 256Mb DDR Synchronous DRAM |
| IS43R16160B-5BL | 功能描述:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 256M (16Mx16) 400MHz DDR 2.5v RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲(chǔ)容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS43R16160B-5BLI | 功能描述:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 256M (16Mx16) 400MHz DDR 2.5v RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲(chǔ)容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS43R16160B-5BLI-TR | 功能描述:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 256M (16Mx16) 400MHz DDR 2.5v RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲(chǔ)容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
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