參數(shù)資料
型號(hào)： IS43R16160A-6T
廠商： INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
元件分類： DRAM
英文描述： 16Meg x 16 256-MBIT DDR SDRAM
中文描述： 16M X 16 DDR DRAM, 0.7 ns, PDSO66
封裝： PLASTIC, TSOP2-66
文件頁數(shù)： 4/56頁
文件大?。?/td> 792K
代理商： IS43R16160A-6T
4
Integrated Silicon Solution, Inc. — 1-800-379-4774
Rev. 00B
11/28/05
ISSI
IS43R16160A
Block Diagram
Row decoder
Memory array
Bank 0
8192 x 256
x32 bit
C
S
Row decoder
Memory array
Bank 1
C
S
Row decoder
Memory array
Bank 2
C
S
Row decoder
Memory array
Bank 3
C
S
Input buffer
Output buffer
DQ
0
-DQ
15
Column address
counter
Column address
buffer
Row address
buffer
Refresh Counter
A0 - A12, BA0, BA1
A0 - A8, AP, BA0, BA1
Control logic & timing generator
C
C
C
R
C
W
D
Row Addresses
Column Addresses
DLL
Strobe
Gen.
Data Strobe
CK, CK
C
DQS
8192 x 256
x 32 bit
8192 x 256
x 32 bit
8192 x 256
x 32 bit
16M x 16
Capacitance*
T
A
= 0 to 70
°
C, V
CC
= 2.5V
±
0.2V, V
CC
= 2.6V
±
0.1V
for DDR400, f = 1 Mhz
*
Note:
Capacitance is sampled and not 100% tested.
Absolute Maximum Ratings*
Operating temperature range..................0 to 70 °C
Storage temperature range ................-55 to 150 °C
V
DD
Supply Voltage Relative to V
SS
.....-1V to +3.6V
V
DDQ
Supply Voltage Relative to V
SS
......................................................-1V to +3.6V
VREF and Inputs Voltage Relative to V
SS
......................................................-1V to +3.6V
I/O Pins Voltage Relative to V
SS
..........................................-0.5V to V
DDQ
+0.5V
Power dissipation .......................................... 1.6 W
Data out current (short circuit)...................... 50 mA
*Note:
Stresses above those listed under “Absolute Maximum
Ratings” may cause permanent damage of the device.
Exposure to absolute maximum rating conditions for
extended periods may affect device reliability.
Input Capacitance
Symbol
Mn Max Unit
BA0, BA1, CKE, CS, RAS, (CAS,
A0-A11, WE)
C
INI
2
3.0
pF
Input Capacitance (CK, CK)
C
IN2
2
3.0
pF
Data & DQS I/O Capacitance
C
OUT
4
5
pF
Input Capacitance (DM)
C
IN3
4
5.0
pF
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IS43R16160A 16Meg x 16 256-MBIT DDR SDRAM
IS43R16320A 32Meg x 16 512-MBIT DDR SDRAM
IS43R16320A-6TL 32Meg x 16 512-MBIT DDR SDRAM
IS43R16800A-6 8Meg x 16 128-MBIT DDR SDRAM
IS43R16800A-6T 8Meg x 16 128-MBIT DDR SDRAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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IS43R16160B-5BI 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:32Mx8, 16Mx16 256Mb DDR Synchronous DRAM
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IS43R16160B-5BLI 功能描述:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 256M (16Mx16) 400MHz DDR 2.5v RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲(chǔ)容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
IS43R16160B-5BLI-TR 功能描述:動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 256M (16Mx16) 400MHz DDR 2.5v RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲(chǔ)容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
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