參數(shù)資料
型號： K4T1G044QQ-HC(L)E6
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： 1Gb Q-die DDR2 SDRAM Specification
中文描述： 1Gb的調(diào)Q DDR2內(nèi)存芯片規(guī)格
文件頁數(shù)： 28/44頁
文件大?。?/td> 891K
代理商： K4T1G044QQ-HC(L)E6
K4T1G084QQ
K4T1G164QQ
Rev. 1.01 November 2007
DDR2 SDRAM
28 of 44
K4T1G044QQ
V
SS
Setup Slew Rate
Rising Signal
Setup Slew Rate
Falling Signal
TF
TR
tangent line[V
REF(dc)
- Vil(ac)max]
TF
=
tangent line[Vih(ac)min - V
REF(dc)
]
TR
=
V
DDQ
V
IH(ac)
min
V
IH(dc)
min
V
REF(dc)
V
IL(dc)
max
V
IL(ac)
max
tangent
line
tangent
line
V
REF
to ac
region
V
REF
to ac
region
nominal
line
nominal
line
Figure 8 - IIIustration of tangent line for tDS (single-ended DQS)
tDS
tDH
DQS
Note1
V
DDQ
V
IH(ac)
min
V
IH(dc)
min
V
REF(dc)
V
IL(dc)
V
IL(ac)
max
V
SS
tDH
tDS
Note : DQS signal must be monotonic between Vil(dc)max and Vih(dc)min.
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PDF描述
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