參數(shù)資料
型號(hào)： K4T1G044QQ-HC(L)E6
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： 1Gb Q-die DDR2 SDRAM Specification
中文描述： 1Gb的調(diào)Q DDR2內(nèi)存芯片規(guī)格
文件頁(yè)數(shù)： 30/44頁(yè)
文件大?。?/td> 891K
代理商： K4T1G044QQ-HC(L)E6
K4T1G084QQ
K4T1G164QQ
Rev. 1.01 November 2007
DDR2 SDRAM
30 of 44
K4T1G044QQ
V
SS
Hold Slew Rate
Falling Signal
Hold Slew Rate
Rising Signal
TR
TF
V
REF(dc)
- Vil(dc)max
TR
=
Vih(dc)min - V
REF(dc)
TF
=
V
DDQ
V
IH(ac)
min
V
IH(dc)
min
V
REF(dc)
V
IL(dc)
max
V
IL(ac)
max
nominal
slew rate
nominal
slew rate
dc to V
REF
region
dc to V
REF
region
Figure 10 - IIIustration of nominal slew rate for tDH (single-ended DQS)
tDS
tDH
DQS
Note1
V
DDQ
V
IH(ac)
min
V
IH(dc)
min
V
REF(dc)
V
IL(dc)
V
IL(ac)
max
V
SS
tDH
tDS
Note : DQS signal must be monotonic between Vil(dc)max and Vih(dc)min.
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PDF描述
K4T1G044QQ-HC(L)E7 1Gb Q-die DDR2 SDRAM Specification
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K4T1G084QQ-HC(L)E6 1Gb Q-die DDR2 SDRAM Specification
K4T1G084QQ-HC(L)E7 1Gb Q-die DDR2 SDRAM Specification
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