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參數(shù)資料
| 型號： | MBM29F800B-12 |
| 廠商： | Fujitsu Limited |
| 英文描述： | 8M (1M ×8/512K ×6) Bit Falsh Memory(單5V 電源電壓1M ×8/512K ×6位閃速存儲器) |
| 中文描述： | 8米（1米× 8/512K × 6）位Falsh內(nèi)存（單5V的電源電壓100萬× 8/512K × 6位閃速存儲器） |
| 文件頁數(shù)： | 22/51頁 |
| 文件大小： | 642K |
| 代理商： | MBM29F800B-12 |
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22
MBM29F800T
-90/-12
/MBM29F800B
-90/-12
Write Pulse “Glitch” Protection
Noise pulses of less than 5 ns (typical) on OE, CE, or WE will not initiate a write cycle.
Logical Inhibit
Writing is inhibited by holding any one of OE = V
IL
, CE = V
IH
, or WE = V
IH
. To initiate a write cycle CE and WE
must be a logical zero while OE is a logical one.
Power-Up Write Inhibit
Power-up of the device with WE = CE = V
IL
and OE = V
IH
will not accept commands on the rising edge of WE.
The internal state machine is automatically reset to the read mode on power-up.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MBM29F800T-12 | 8M (1M ×8/512K ×6) Bit Falsh Memory(單5V 電源電壓1M ×8/512K ×6位閃速存儲器) |
| MBM29F800T-90 | 8M (1M ×8/512K ×6) Bit Falsh Memory(單5V 電源電壓1M ×8/512K ×6位閃速存儲器) |
| MBM29F800B-90 | 8M (1M ×8/512K ×6) Bit Falsh Memory(單5V 電源電壓1M ×8/512K ×6位閃速存儲器) |
| MBM29F800B | 8 M (1 M×8/512 K×16) BIT Flash Memory(8 M (1 M×8/512 K×16) 位單5V 電源電壓閃速存儲器) |
| MBM29F800T | 8 M (1 M×8/512 K×16) BIT Flash Memory(8 M (1 M×8/512 K×16) 位單5V 電源電壓閃速存儲器) |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MBM29F800B-90PFTN# | 制造商:FUJITSU 功能描述: |
| MBM29F800BA | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:FLASH MEMORY |
| MBM29F800BA-55 | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:8M (1M X 8/512K X 16) BIT |
| MBM29F800BA-55PF | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:8M (1M X 8/512K X 16) BIT |
| MBM29F800BA-55PFTN | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:8M (1M X 8/512K X 16) BIT |
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