參數(shù)資料
型號(hào)： MBM29F800B-12
廠商： Fujitsu Limited
英文描述： 8M (1M ×8/512K ×6) Bit Falsh Memory(單5V 電源電壓1M ×8/512K ×6位閃速存儲(chǔ)器)
中文描述： 8米（1米× 8/512K × 6）位Falsh內(nèi)存（單5V的電源電壓100萬× 8/512K × 6位閃速存儲(chǔ)器）
文件頁數(shù)： 24/51頁
文件大?。?/td> 642K
代理商： MBM29F800B-12
24
MBM29F800T
-90/-12
/MBM29F800B
-90/-12
I
MAXIMUM OVERSHOOT
Figure 1 Maximum Negative Overshoot Waveform
Figure 2 Maximum Positive Overshoot Waveform
Figure 3 Maximum Positive Overshoot Waveform
+0.8 V
–0.5 V
20 ns
–2.0 V
20 ns
20 ns
+2.0 V
V
CC
+0.5 V
20 ns
V
CC
+2.0 V
20 ns
20 ns
V
CC
+0.5 V
+13.0 V
20 ns
+14.0 V
20 ns
20 ns
Note: This waveform is applied for A
9
, OE, and RESET.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MBM29F800T-12 8M (1M ×8/512K ×6) Bit Falsh Memory(單5V 電源電壓1M ×8/512K ×6位閃速存儲(chǔ)器)
MBM29F800T-90 8M (1M ×8/512K ×6) Bit Falsh Memory(單5V 電源電壓1M ×8/512K ×6位閃速存儲(chǔ)器)
MBM29F800B-90 8M (1M ×8/512K ×6) Bit Falsh Memory(單5V 電源電壓1M ×8/512K ×6位閃速存儲(chǔ)器)
MBM29F800B 8 M (1 M×8/512 K×16) BIT Flash Memory(8 M (1 M×8/512 K×16) 位單5V 電源電壓閃速存儲(chǔ)器)
MBM29F800T 8 M (1 M×8/512 K×16) BIT Flash Memory(8 M (1 M×8/512 K×16) 位單5V 電源電壓閃速存儲(chǔ)器)
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參數(shù)描述
MBM29F800B-90PFTN# 制造商:FUJITSU 功能描述:
MBM29F800BA 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:FLASH MEMORY
MBM29F800BA-55 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:8M (1M X 8/512K X 16) BIT
MBM29F800BA-55PF 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:8M (1M X 8/512K X 16) BIT
MBM29F800BA-55PFTN 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:8M (1M X 8/512K X 16) BIT
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