參數(shù)資料
型號(hào): MBM29F800B-12
廠商: Fujitsu Limited
英文描述: 8M (1M ×8/512K ×6) Bit Falsh Memory(單5V 電源電壓1M ×8/512K ×6位閃速存儲(chǔ)器)
中文描述: 8米(1米× 8/512K × 6)位Falsh內(nèi)存(單5V的電源電壓100萬(wàn)× 8/512K × 6位閃速存儲(chǔ)器)
文件頁(yè)數(shù): 34/51頁(yè)
文件大小: 642K
代理商: MBM29F800B-12
34
MBM29F800T
-90/-12
/MBM29F800B
-90/-12
Figure 9 AC Waveforms for Data Polling during Embedded Algorithm Operations
*DQ
7
= Valid Data (The device has completed the Embedded operation).
t
OEH
t
OE
t
WHWH1 or 2
CE
OE
t
OH
WE
DQ
7
t
DF
t
CH
t
CE
High-Z
DQ
=
Valid Data
DQ
0
to DQ
6
DQ
0
to DQ
6
= Invalid
DQ
to DQ
6
Valid Data
DQ
7
*
High-Z
Figure 10 AC Waveforms for Toggle Bit I during Embedded Algorithm Operations
*DQ
6
stops toggling (The device has completed the Embedded operation).
t
OEH
CE
WE
OE
Data
DQ
6
= Toggle
*
t
OES
t
OE
(DQ
0
to DQ
7
)
DQ
6
=
Stop Toggling
DQ
to DQ
7
Valid
DQ
6
= Toggle
DQ
6
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MBM29F800T-12 8M (1M ×8/512K ×6) Bit Falsh Memory(單5V 電源電壓1M ×8/512K ×6位閃速存儲(chǔ)器)
MBM29F800T-90 8M (1M ×8/512K ×6) Bit Falsh Memory(單5V 電源電壓1M ×8/512K ×6位閃速存儲(chǔ)器)
MBM29F800B-90 8M (1M ×8/512K ×6) Bit Falsh Memory(單5V 電源電壓1M ×8/512K ×6位閃速存儲(chǔ)器)
MBM29F800B 8 M (1 M×8/512 K×16) BIT Flash Memory(8 M (1 M×8/512 K×16) 位單5V 電源電壓閃速存儲(chǔ)器)
MBM29F800T 8 M (1 M×8/512 K×16) BIT Flash Memory(8 M (1 M×8/512 K×16) 位單5V 電源電壓閃速存儲(chǔ)器)
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參數(shù)描述
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MBM29F800BA 制造商:SPANSION 制造商全稱(chēng):SPANSION 功能描述:FLASH MEMORY
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MBM29F800BA-55PF 制造商:FUJITSU 制造商全稱(chēng):Fujitsu Component Limited. 功能描述:8M (1M X 8/512K X 16) BIT
MBM29F800BA-55PFTN 制造商:FUJITSU 制造商全稱(chēng):Fujitsu Component Limited. 功能描述:8M (1M X 8/512K X 16) BIT