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參數(shù)資料
| 型號： | MBM29F800B-12 |
| 廠商： | Fujitsu Limited |
| 英文描述： | 8M (1M ×8/512K ×6) Bit Falsh Memory(單5V 電源電壓1M ×8/512K ×6位閃速存儲器) |
| 中文描述： | 8米（1米× 8/512K × 6）位Falsh內(nèi)存（單5V的電源電壓100萬× 8/512K × 6位閃速存儲器） |
| 文件頁數(shù)： | 25/51頁 |
| 文件大?。?/td> | 642K |
| 代理商： | MBM29F800B-12 |
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25
MBM29F800T
-90/-12
/MBM29F800B
-90/-12
I
DC CHARACTERISTICS
TTL/NMOS Compatible
Notes:
1. The I
CC
current listed includes both the DC operating current and the frequency dependent component
(at 6 MHz).
The frequency component typically is 2 mA/MHz, with OE at V
IH
.
2. I
CC
active while Embedded Algorithm (program or erase) is in progress.
3. Applicable to sector protection function.
Parameter
Symbol
Parameter Description
Test Conditions
Min.
Max.
Unit
I
LI
Input Leakage Current
V
IN
= V
SS
to V
CC
, V
CC
= V
CC
Max.
—
+
1.0
μ
A
I
LO
Output Leakage Current
V
OUT
= V
SS
to V
CC
, V
CC
= V
CC
Max.
—
+
1.0
μ
A
I
LIT
A
9
, OE, RESET Inputs
Leakage Current
V
CC
= V
CC
Max.,
A
9
, OE, RESET = 12.0 V
—
50
μ
A
I
CC1
V
CC
Active Current (Note 1)
CE = V
IL
, OE = V
IH
Byte
—
38
mA
Word
—
45
I
CC2
V
CC
Active Current (Note 2)
CE = V
IL
, OE = V
IH
—
50
mA
I
CC3
V
CC
Current (Standby)
V
CC
= V
CC
Max., CE = V
IH
, RESET =
V
IH
—
1.0
μ
A
I
CC4
V
CC
Current (Standby, Reset)
V
CC
= V
CC
Max., RESET = V
IL
—
1.0
μ
A
V
IL
Input Low Level
—
–0.5
0.8
V
V
IH
Input High Level
—
2.0
V
CC
+ 0.5
V
V
ID
Voltage for Autoselect and
Sector Protection
(A
9
, OE, RESET) (Note 3)
V
CC
= 5.0V
11.5
12.5
V
V
OL
Output Low Voltage Level
I
OL
= 5.8 mA, V
CC
= V
CC
Min.
—
0.45
V
V
OH
Output High Voltage Level
I
OH
= –2.5 mA, V
CC
= V
CC
Min.
2.4
—
V
V
LKO
Low V
CC
Lock-Out Voltage
—
3.2
4.2
V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MBM29F800T-12 | 8M (1M ×8/512K ×6) Bit Falsh Memory(單5V 電源電壓1M ×8/512K ×6位閃速存儲器) |
| MBM29F800T-90 | 8M (1M ×8/512K ×6) Bit Falsh Memory(單5V 電源電壓1M ×8/512K ×6位閃速存儲器) |
| MBM29F800B-90 | 8M (1M ×8/512K ×6) Bit Falsh Memory(單5V 電源電壓1M ×8/512K ×6位閃速存儲器) |
| MBM29F800B | 8 M (1 M×8/512 K×16) BIT Flash Memory(8 M (1 M×8/512 K×16) 位單5V 電源電壓閃速存儲器) |
| MBM29F800T | 8 M (1 M×8/512 K×16) BIT Flash Memory(8 M (1 M×8/512 K×16) 位單5V 電源電壓閃速存儲器) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MBM29F800B-90PFTN# | 制造商:FUJITSU 功能描述: |
| MBM29F800BA | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:FLASH MEMORY |
| MBM29F800BA-55 | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:8M (1M X 8/512K X 16) BIT |
| MBM29F800BA-55PF | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:8M (1M X 8/512K X 16) BIT |
| MBM29F800BA-55PFTN | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:8M (1M X 8/512K X 16) BIT |
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