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參數(shù)資料
| 型號： | MBM29F800B-12 |
| 廠商： | Fujitsu Limited |
| 英文描述： | 8M (1M ×8/512K ×6) Bit Falsh Memory(單5V 電源電壓1M ×8/512K ×6位閃速存儲器) |
| 中文描述： | 8米（1米× 8/512K × 6）位Falsh內(nèi)存（單5V的電源電壓100萬× 8/512K × 6位閃速存儲器） |
| 文件頁數(shù)： | 41/51頁 |
| 文件大?。?/td> | 642K |
| 代理商： | MBM29F800B-12 |
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41
MBM29F800T
-90/-12
/MBM29F800B
-90/-12
Figure 20 Data Polling Algorithm
Note:
DQ
7
is rechecked even if DQ
5
= “1” because DQ
7
may change simultaneously with DQ
5
.
VA = Byte address for programming
= Any of the sector addresses
within the sector being erased
during sector erase operation
= Any of the sector addresses
within the sector not being
protected during chip erase
operation
Fail
DQ
7
= Data
No
No
DQ
7
= Data
DQ
5
= 1
Pass
Yes
Yes
No
Start
Read Byte
(DQ
0
to DQ
7
)
Addr. = VA
Read Byte
(DQ
0
to DQ
7
)
Addr. = VA
Yes
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MBM29F800T-12 | 8M (1M ×8/512K ×6) Bit Falsh Memory(單5V 電源電壓1M ×8/512K ×6位閃速存儲器) |
| MBM29F800T-90 | 8M (1M ×8/512K ×6) Bit Falsh Memory(單5V 電源電壓1M ×8/512K ×6位閃速存儲器) |
| MBM29F800B-90 | 8M (1M ×8/512K ×6) Bit Falsh Memory(單5V 電源電壓1M ×8/512K ×6位閃速存儲器) |
| MBM29F800B | 8 M (1 M×8/512 K×16) BIT Flash Memory(8 M (1 M×8/512 K×16) 位單5V 電源電壓閃速存儲器) |
| MBM29F800T | 8 M (1 M×8/512 K×16) BIT Flash Memory(8 M (1 M×8/512 K×16) 位單5V 電源電壓閃速存儲器) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MBM29F800B-90PFTN# | 制造商:FUJITSU 功能描述: |
| MBM29F800BA | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:FLASH MEMORY |
| MBM29F800BA-55 | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:8M (1M X 8/512K X 16) BIT |
| MBM29F800BA-55PF | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:8M (1M X 8/512K X 16) BIT |
| MBM29F800BA-55PFTN | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:8M (1M X 8/512K X 16) BIT |
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