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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MBM29F800B-12 |
| 廠商： | Fujitsu Limited |
| 英文描述： | 8M (1M ×8/512K ×6) Bit Falsh Memory(單5V 電源電壓1M ×8/512K ×6位閃速存儲(chǔ)器) |
| 中文描述： | 8米（1米× 8/512K × 6）位Falsh內(nèi)存（單5V的電源電壓100萬(wàn)× 8/512K × 6位閃速存儲(chǔ)器） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 46/51頁(yè) |
| 文件大小： | 642K |
| 代理商： | MBM29F800B-12 |
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MBM29F800T
-90/-12
/MBM29F800B
-90/-12
(Continued)
1.4
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
–30
0
15
30
45
75
t
ACC
vs. AMBIENT TEMPERATURE
T
A
AMBIENT TEMPERATURE (
°
C)
t
A
,
V
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= 5.0 V
60
1.4
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1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
t
CE
vs. AMBIENT TEMPERATURE
T
A
AMBIENT TEMPERATURE (
°
C)
t
C
,
1.4
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
t
OE
, t
DF
vs. AMBIENT TEMPERATURE
T
A
AMBIENT TEMPERATURE (
°
C)
t
O
,
D
,
40
30
20
10
0
CURRENT WAVE FORM (Chip Erase)
2 s/Division
I
C
Pre-Program
Erase
V
IH
WE
V
IL
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–30
0
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V
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= 5.0 V
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30
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V
CC
= 5.0 V
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–15
t
OE
t
DF
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MBM29F800T-12 | 8M (1M ×8/512K ×6) Bit Falsh Memory(單5V 電源電壓1M ×8/512K ×6位閃速存儲(chǔ)器) |
| MBM29F800T-90 | 8M (1M ×8/512K ×6) Bit Falsh Memory(單5V 電源電壓1M ×8/512K ×6位閃速存儲(chǔ)器) |
| MBM29F800B-90 | 8M (1M ×8/512K ×6) Bit Falsh Memory(單5V 電源電壓1M ×8/512K ×6位閃速存儲(chǔ)器) |
| MBM29F800B | 8 M (1 M×8/512 K×16) BIT Flash Memory(8 M (1 M×8/512 K×16) 位單5V 電源電壓閃速存儲(chǔ)器) |
| MBM29F800T | 8 M (1 M×8/512 K×16) BIT Flash Memory(8 M (1 M×8/512 K×16) 位單5V 電源電壓閃速存儲(chǔ)器) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MBM29F800B-90PFTN# | 制造商:FUJITSU 功能描述: |
| MBM29F800BA | 制造商:SPANSION 制造商全稱(chēng):SPANSION 功能描述:FLASH MEMORY |
| MBM29F800BA-55 | 制造商:FUJITSU 制造商全稱(chēng):Fujitsu Component Limited. 功能描述:8M (1M X 8/512K X 16) BIT |
| MBM29F800BA-55PF | 制造商:FUJITSU 制造商全稱(chēng):Fujitsu Component Limited. 功能描述:8M (1M X 8/512K X 16) BIT |
| MBM29F800BA-55PFTN | 制造商:FUJITSU 制造商全稱(chēng):Fujitsu Component Limited. 功能描述:8M (1M X 8/512K X 16) BIT |
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