參數(shù)資料
型號(hào)： MBM29F800B-12
廠商： Fujitsu Limited
英文描述： 8M (1M ×8/512K ×6) Bit Falsh Memory(單5V 電源電壓1M ×8/512K ×6位閃速存儲(chǔ)器)
中文描述： 8米（1米× 8/512K × 6）位Falsh內(nèi)存（單5V的電源電壓100萬(wàn)× 8/512K × 6位閃速存儲(chǔ)器）
文件頁(yè)數(shù)： 48/51頁(yè)
文件大?。?/td> 642K
代理商： MBM29F800B-12
48
MBM29F800T
-90/-12
/MBM29F800B
-90/-12
I
PACKAGE DIMENSIONS
48–LEAD PLASTIC FLAT PACKAGE
(CASE No.: FPT–48P–M19)
*: Resin protruction. (Each side: 0.15(.006) Max)
C
1996 FUJITSU LIMITED F48029S-2C-2
Details of "A" part
0.15(.006)
MAX
0.35(.014)
MAX
0.15(.006)
0.25(.010)
INDEX
"A"
18.40±0.20
(.724±.008)
20.00±0.20
(.787±.008)
19.00±0.20
(.748±.008)
0.10(.004)
0.50±0.10
(.020±.004)
0.15±0.05
(.006±.002)
11.50REF
(.460)
0.50(.0197)
TYP
0.20±0.10
(.008±.004)
0.05(0.02)MIN
STAND OFF
.043
+.004
(MOUNTING
HEIGHT)
0.05
+0.10
1.10
M
0.10(.004)
1
24
25
48
LEAD No.
*
*
12.00±0.20
(.472±.008)
Dimensions in mm (inches)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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MBM29F800T-90 8M (1M ×8/512K ×6) Bit Falsh Memory(單5V 電源電壓1M ×8/512K ×6位閃速存儲(chǔ)器)
MBM29F800B-90 8M (1M ×8/512K ×6) Bit Falsh Memory(單5V 電源電壓1M ×8/512K ×6位閃速存儲(chǔ)器)
MBM29F800B 8 M (1 M×8/512 K×16) BIT Flash Memory(8 M (1 M×8/512 K×16) 位單5V 電源電壓閃速存儲(chǔ)器)
MBM29F800T 8 M (1 M×8/512 K×16) BIT Flash Memory(8 M (1 M×8/512 K×16) 位單5V 電源電壓閃速存儲(chǔ)器)
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