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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MBM29F800B-12 |
| 廠(chǎng)商： | Fujitsu Limited |
| 英文描述： | 8M (1M ×8/512K ×6) Bit Falsh Memory(單5V 電源電壓1M ×8/512K ×6位閃速存儲(chǔ)器) |
| 中文描述： | 8米（1米× 8/512K × 6）位Falsh內(nèi)存（單5V的電源電壓100萬(wàn)× 8/512K × 6位閃速存儲(chǔ)器） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 39/51頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 642K |
| 代理商： | MBM29F800B-12 |
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39
MBM29F800T
-90/-12
/MBM29F800B
-90/-12
* Device is either powered-down, erase inhibit or program inhibit.
Table 9 Embedded Programming Algorithm
Bus Operations
Command Sequence
Comments
Standby*
Write
Program
Valid Address/Data Sequence
Read
Data Polling to Verify Programming
Standby*
Compare Data Output to Data Expected
Figure 18 Embedded Programming Algorithm
EMBEDDED ALGORITHMS
* :The sequence is applied for
×
16 mode.
The addresses differ from
×
8 mode.
No
Yes
Start
Program Command Sequence* (Address/Command):
5555H/AAH
2AAAH/55H
5555H/A0H
Write Program Command
Sequence
(See Below)
Data Polling Device
Increment Address
Last Address
Programming Completed
Program Address/Program Data
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MBM29F800T-12 | 8M (1M ×8/512K ×6) Bit Falsh Memory(單5V 電源電壓1M ×8/512K ×6位閃速存儲(chǔ)器) |
| MBM29F800T-90 | 8M (1M ×8/512K ×6) Bit Falsh Memory(單5V 電源電壓1M ×8/512K ×6位閃速存儲(chǔ)器) |
| MBM29F800B-90 | 8M (1M ×8/512K ×6) Bit Falsh Memory(單5V 電源電壓1M ×8/512K ×6位閃速存儲(chǔ)器) |
| MBM29F800B | 8 M (1 M×8/512 K×16) BIT Flash Memory(8 M (1 M×8/512 K×16) 位單5V 電源電壓閃速存儲(chǔ)器) |
| MBM29F800T | 8 M (1 M×8/512 K×16) BIT Flash Memory(8 M (1 M×8/512 K×16) 位單5V 電源電壓閃速存儲(chǔ)器) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MBM29F800B-90PFTN# | 制造商:FUJITSU 功能描述: |
| MBM29F800BA | 制造商:SPANSION 制造商全稱(chēng):SPANSION 功能描述:FLASH MEMORY |
| MBM29F800BA-55 | 制造商:FUJITSU 制造商全稱(chēng):Fujitsu Component Limited. 功能描述:8M (1M X 8/512K X 16) BIT |
| MBM29F800BA-55PF | 制造商:FUJITSU 制造商全稱(chēng):Fujitsu Component Limited. 功能描述:8M (1M X 8/512K X 16) BIT |
| MBM29F800BA-55PFTN | 制造商:FUJITSU 制造商全稱(chēng):Fujitsu Component Limited. 功能描述:8M (1M X 8/512K X 16) BIT |
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