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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | T431616D-5S |
| 廠(chǎng)商： | Electronic Theatre Controls, Inc. |
| 英文描述： | 1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 100萬(wàn)× 16內(nèi)存為512k × 16Bit的X 2Banks同步DRAM |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 17/74頁(yè) |
| 文件大小： | 781K |
| 代理商： | T431616D-5S |
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TE
CH
tm
T431616D/E
TM Technology Inc. reserves the right
P. 24
Publication Date: FEB. 2007
to change products or specifications without notice.
Revision: A
Figure 4. Power on Sequene and Auto Refresh (CBR)
T0
T 1 T2
T3
T4
T5
T6
T7
T8
T9
T10 T 11 T12 T13 T14 T15 T16 T17 T18 T19 T20 T21 T22
CLK
CKE
CS#
RAS#
CAS#
WE#
A11
A10
A0-A9
DQM
DQ
tCK2
High level
is reauired
Minimum of 2 Refresh Cycles are required
Hi-Z
tRP
tRC
Address Key
Inputs must be
stable for 200
s
PrechargeALL
Command
1st AutoRefresh
Command
2nd Auto Refresh
Command
Mode Register
Set Command
Any
Command
Note (*) : The Auto Refresh command can be issued before or after Mode Register Set command
(*)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| T431616D | 1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| T431616E | 1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| T450N | 0 MHz - 10000 MHz 50 ohm RF/MICROWAVE TERMINATION |
| T451N | 0 MHz - 10000 MHz 50 ohm RF/MICROWAVE TERMINATION |
| T523-020.00M | TCXO, CLIPPED SINE OUTPUT, 20 MHz |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| T431616D-5SG | 制造商:TMT 制造商全稱(chēng):TMT 功能描述:1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| T431616D-6C | 制造商:TMT 制造商全稱(chēng):TMT 功能描述:1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| T431616D-6CG | 制造商:TMT 制造商全稱(chēng):TMT 功能描述:1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| T431616D-6S | 制造商:TMT 制造商全稱(chēng):TMT 功能描述:1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| T431616D-6SG | 制造商:TMT 制造商全稱(chēng):TMT 功能描述:1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM |
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