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TE
CH
tm
T431616D/E
TM Technology Inc. reserves the right
P. 64
Publication Date: FEB. 2007
to change products or specifications without notice.
Revision: A
Figure 19.2. Full Page Write Cycle (Burst Length=Full Page, CAS# Latency=2)
T0
T 1 T2
T3
T4
T5
T6
T7
T8
T9
T10 T 11 T12 T13 T14 T15 T16 T17 T18 T19 T20 T21 T22
CLK
CKE
CS#
RAS#
CAS#
WE#
A10
A0~A9
DQM
DQ
A11
DAx+ 1
DAx
Activate
Command
Bank A
Hi-Z
Activate
Command
Bank B
RAx
Burst Stop
Command
CBx
High
Write
Command
Bank B
Precharge
Command
Bank B
RBx
CAx
RBy
The burst counter wraps
from the highest order
page address back to zero
during this time interval
Full Page burst operation does
not terminate when the burst
length is satisfied; the burst counter
increments and continues bursting
beginning with the starting address.
Activate
Command
Bank B
tCK2
DAx+ 2 DAx+ 3 DAx- 1
DAx DAx+1 DBx
DBx+ 1 DBx+2 DBx+3 DBx+4 DBx+5 DBx+6
Write
Command
Bank A
Data is ignored
RBx
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| T431616D | 1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| T431616E | 1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| T450N | 0 MHz - 10000 MHz 50 ohm RF/MICROWAVE TERMINATION |
| T451N | 0 MHz - 10000 MHz 50 ohm RF/MICROWAVE TERMINATION |
| T523-020.00M | TCXO, CLIPPED SINE OUTPUT, 20 MHz |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| T431616D-5SG | 制造商:TMT 制造商全稱:TMT 功能描述:1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| T431616D-6C | 制造商:TMT 制造商全稱:TMT 功能描述:1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| T431616D-6CG | 制造商:TMT 制造商全稱:TMT 功能描述:1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| T431616D-6S | 制造商:TMT 制造商全稱:TMT 功能描述:1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| T431616D-6SG | 制造商:TMT 制造商全稱:TMT 功能描述:1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM |
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