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參數(shù)資料
| 型號： | T431616D-5S |
| 廠商： | Electronic Theatre Controls, Inc. |
| 英文描述： | 1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 100萬× 16內(nèi)存為512k × 16Bit的X 2Banks同步DRAM |
| 文件頁數(shù)： | 64/74頁 |
| 文件大小： | 781K |
| 代理商： | T431616D-5S |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁當前第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁
TE
CH
tm
T431616D/E
TM Technology Inc. reserves the right
P. 67
Publication Date: FEB. 2007
to change products or specifications without notice.
Revision: A
Figure 21. Random Row Read (Interleaving Banks)
(Burst Length=2, CAS# Latency=1)
T0
T 1 T2
T3
T4
T5
T6
T7
T8
T9
T10 T 11 T12 T13 T14 T15 T16 T17 T18 T19 T20 T21 T22
CLK
CKE
CS#
RAS#
CAS#
WE#
A10
A0~A9
DQM
DQ
A11
High
tCK1
Bu0
Bu1 Au0
Au1
Bv0 Bv1
Av0
Av1
Bw0
Bw1
Aw0
Aw1 Bx0
Bx1
Ax0
Ax1 By0
By1
Ay0 Ay1
Bz0
Activate
Command
Bank B
Read
Bank B
with Auto
Precharge
Activate
Command
Bank A
Read
Bank A
with Auto
Precharge
Activate
Command
Bank B
Read
Bank B
with Auto
Precharge
Activate
Command
Bank A
Read
Bank A
with Auto
Precharge
Activate
Command
Bank B
Read
Bank B
with Auto
Precharge
Activate
Command
Bank A
Read
Bank A
with Auto
Precharge
Activate
Command
Bank B
Read
Bank B
with Auto
Precharge
Activate
Command
Bank A
Read
Bank A
with Auto
Precharge
Activate
Command
Bank B
Read
Bank B
with Auto
Precharge
Activate
Command
Bank A
Read
Bank A
with Auto
Precharge
Activate
Command
Bank B
Read
Bank B
with Auto
Precharge
Activate
Command
Bank A
RBu
CBu
RAu
RAu CAu
RBv
RBv CBv
RAv
CAv
RBw
RBw CBw
RAw
RAw CAw
RBx
CBx
RAx
RAx CAx
RBy
RBy CBy
RAy
CAy
RBz
CBz
RAz
tRP
Begin Auto
Precharge
Bank B
Begin Auto
Precharge
Bank A
Begin Auto
Precharge
Bank B
Begin Auto
Precharge
Bank A
Begin Auto
Precharge
Bank B
Begin Auto
Precharge
Bank A
Begin Auto
Precharge
Bank B
Begin Auto
Precharge
Bank A
Begin Auto
Precharge
Bank B
Begin Auto
Precharge
Bank A
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| T431616D | 1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| T431616E | 1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| T450N | 0 MHz - 10000 MHz 50 ohm RF/MICROWAVE TERMINATION |
| T451N | 0 MHz - 10000 MHz 50 ohm RF/MICROWAVE TERMINATION |
| T523-020.00M | TCXO, CLIPPED SINE OUTPUT, 20 MHz |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| T431616D-5SG | 制造商:TMT 制造商全稱:TMT 功能描述:1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| T431616D-6C | 制造商:TMT 制造商全稱:TMT 功能描述:1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| T431616D-6CG | 制造商:TMT 制造商全稱:TMT 功能描述:1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| T431616D-6S | 制造商:TMT 制造商全稱:TMT 功能描述:1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| T431616D-6SG | 制造商:TMT 制造商全稱:TMT 功能描述:1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM |
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