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參數(shù)資料
| 型號： | T431616D-5S |
| 廠商： | Electronic Theatre Controls, Inc. |
| 英文描述： | 1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 100萬× 16內(nèi)存為512k × 16Bit的X 2Banks同步DRAM |
| 文件頁數(shù)： | 69/74頁 |
| 文件大?。?/td> | 781K |
| 代理商： | T431616D-5S |
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TE
CH
tm
T431616D/E
TM Technology Inc. reserves the right
P. 71
Publication Date: FEB. 2007
to change products or specifications without notice.
Revision: A
Figure 24.2. Precharge Termination of a Burst
(Burst Length=8 or Full Page, CAS# Latency=2)
T0
T 1 T2
T3
T4
T5
T6
T7
T8
T9
T10 T 11 T12 T13 T14 T15 T16 T17 T18 T19 T20 T21 T22
CLK
CKE
CS#
RAS#
CAS#
WE#
A10
A0~A9
DQM
DQ
A11
tCK2
DAx0 DAx1DAx2 DAx3
Ay2
Ay0
Ay1
Activate
Command
Bank A
Write
Command
Bank A
Precharge
Command
Bank A
Read
Command
Bank A
Precharge
Command
Bank A
Activate
Command
Bank A
RAx
RAy
CAx
RAy
CAy
Az0
Az1
Az2
Precharge Termination
of a Write Burst.
Write data is masked.
Activate
Command
Bank A
tWR
tRP
RAz
CAz
High
Read
Command
Bank A
Precharge
Command
Bank A
Precharge Termination
of a Read Burst
tRP
RAz
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| T431616D | 1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| T431616E | 1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| T450N | 0 MHz - 10000 MHz 50 ohm RF/MICROWAVE TERMINATION |
| T451N | 0 MHz - 10000 MHz 50 ohm RF/MICROWAVE TERMINATION |
| T523-020.00M | TCXO, CLIPPED SINE OUTPUT, 20 MHz |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| T431616D-5SG | 制造商:TMT 制造商全稱:TMT 功能描述:1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| T431616D-6C | 制造商:TMT 制造商全稱:TMT 功能描述:1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| T431616D-6CG | 制造商:TMT 制造商全稱:TMT 功能描述:1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| T431616D-6S | 制造商:TMT 制造商全稱:TMT 功能描述:1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM |
| T431616D-6SG | 制造商:TMT 制造商全稱:TMT 功能描述:1M x 16 SDRAM 512K x 16bit x 2Banks Synchronous DRAM |
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