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參數(shù)資料
| 型號： | 28F008S |
| 廠商： | Intel Corp. |
| 英文描述： | 8-MBit (1 MBit x 8) FLASHFILE Memory(8-M位 (1 M位 x 8)閃速存儲器) |
| 中文描述： | 8兆（1兆比特× 8）FLASHFILE內(nèi)存（8米位（1米位× 8）閃速存儲器） |
| 文件頁數(shù)： | 20/28頁 |
| 文件大?。?/td> | 347K |
| 代理商： | 28F008S |
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28F008SA-L
NOTES:
1. All currents are in RMS unless otherwise noted. Typical values at V
CC
e
3.3V, V
PP
e
12.0V, T
e
25
§
C. These currents
are valid for all product versions (packages and speeds).
2. I
CCES
is specified with the device deselected. If the 28F008SA-L is read while in Erase Suspend Mode, current draw is
the sum of I
CCES
and I
CCR
.
3. Includes RY/BY
Y
.
4. Block Erases/Byte Writes are inhibited when V
PP
e
V
PPL
and not guaranteed in the range between V
PPH
and V
PPL
.
5. Sampled, not 100% tested.
DC CHARACTERISTICS
V
CC
e
5.0V
g
10%
Symbol
Parameter
Notes
Min
Typ
Max
Unit
m
A V
CC
e
V
CC
Max
V
IN
e
V
CC
or GND
m
A V
CC
e
V
CC
Max
V
OUT
e
V
CC
or GND
mA V
CC
e
V
CC
Max
CE
Y
e
RP
Y
e
V
IH
m
A V
CC
e
V
CC
Max
CE
Y
e
RP
Y
e
V
CC
g
0.2V
m
A RP
Y
e
GND
g
0.2V
I
OUT
(RY/BY
Y
)
e
0 mA
mA V
e
V
CC
Max, CE
Y
e
GND
f
e
5 MHz, I
OUT
e
0 mA
CMOS Inputs
mA V
e
V
CC
Max, CE
Y
e
V
IL
f
e
5 MHz, I
OUT
e
0 mA
TTL Inputs
Test Condition
I
LI
Input Load Current
1
g
1.0
I
LO
Output Leakage Current
1
g
10
I
CCS
V
CC
Standby Current
1, 3
1.0
2.0
30
100
I
CCD
V
CC
Deep PowerDown
Current
1
0.20
1.2
I
CCR
V
CC
Read Current
1
20
35
25
50
I
CCW
I
CCE
I
CCES
V
CC
Byte Write Current
V
CC
Block Erase Current
V
Erase Suspend
Current
1
10
30
mA Byte Write In Progress
1
10
30
mA Block Erase In Progress
1, 2
5
10
mA Block Erase Suspended,
CE
Y
e
V
IH
m
A V
PP
s
V
CC
m
A RP
Y
e
GND
g
0.2V
I
PPS
I
PPD
V
PP
Standby Current
V
PP
Deep PowerDown
Current
1
g
1
0.10
g
15
5.0
1
I
PPR
I
PPW
V
PP
Read Current
V
PP
Byte Write Current
1
90
200
m
A V
PP
l
V
CC
mA V
PP
e
V
PPH
Byte Write in Progress
mA V
PP
e
V
PPH
Block Erase in Progress
m
A V
e
V
Block Erase Suspended
1
10
30
I
PPE
V
PP
Block Erase Current
1
10
30
I
PPES
V
Erase Suspend
Current
1
90
200
V
IL
V
IH
V
OL
V
OH1
V
OH2
Input Low Voltage
b
0.5
0.8
V
Input High Voltage
2.0
V
CC
a
0.5
0.45
V
Output Low Voltage
3
V
V
CC
e
V
CC
Min, I
OL
e
5.8 mA
V
CC
e
V
CC
Min, I
OH
e b
2.5 mA
I
OH
e b
2.5
m
A, V
CC
e
V
CC
Min
I
OH
e b
100
m
A, V
CC
e
V
CC
Min
Output High Voltage (TTL)
3
2.4
V
Output High Voltage
(CMOS)
0.85 V
CC
V
CC
b
0.4
0.0
V
V
PPL
V
PP
during Normal
Operations
4
6.5
V
20
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 28F0101024K | 28F010 1024K (128K X 8) CMOS FLASH MEMORY |
| 28F010 | 1024K (128K x 8) CMOS FLASH MEMORY |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| 28F008SA-L | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:8 MBIT (1 MBIT x 8) FLASH MEMORY |
| 28F008SAT-ZW | 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述: |
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