參數(shù)資料
型號： 28F016XD
廠商： Intel Corp.
英文描述： 16-Mbit Synchronous Flash Memory(16M位DRAM接口閃速存儲器)
中文描述： 16兆位同步閃存（1,600位內(nèi)存接口閃速存儲器）
文件頁數(shù)： 17/54頁
文件大?。?/td> 760K
代理商： 28F016XD
E
4.5 Global Status Register
28F016XD FLASH MEMORY
17
WSMS
OSS
DOS
R
R
R
R
R
7
6
5
4
3
2
1
0
NOTES:
RY/BY# output or WSMS bit must be checked to
determine completion of an operation (block lock,
suspend, Upload Status Bits, erase or data
program) before the appropriate Status bit (OSS
or DOS) is checked for success.
GSR.7 = WRITE STATE MACHINE STATUS
1 = Ready
0 = Busy
GSR.6 = OPERATION SUSPEND STATUS
1 = Operation Suspended
0 = Operation in Progress/Completed
GSR.5 = DEVICE OPERATION STATUS
1 = Operation Unsuccessful
0 = Operation Successful or Currently
Running
GSR.4
–0 = RESERVED FOR FUTURE ENHANCEMENTS
These bits are reserved for future use; mask them out when polling the GSR.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
28F016XS 16-Mbit Synchronous Flash Memory(16M位同步閃速存儲器)
28F020 5 V Bulk Erase Flash Memory(5V 整體擦寫閃速存儲器)
28F128J3A 3 Volt Intel StrataFlash Memory(3 V 128M位Strata閃速存儲器)
28F320J3A 3 Volt Intel StrataFlash Memory(3 V 32M位英特爾StrataFlash存儲器)
28F640J3A 3 Volt Intel StrataFlash Memory(3 V 64M位英特爾StrataFlash存儲器)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
28F016XS 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:16-MBIT (1 MBIT x 16, 2 MBIT x 8) SYNCHRONOUS FLASH MEMORY
28F0181-1SR-10 功能描述:電磁干擾濾波珠子、扼流圈和陣列 115ohms 100MHz 10A Broad Band Frequency RoHS:否 制造商:AVX 阻抗: 最大直流電流:35 mA 最大直流電阻: 容差: 端接類型:SMD/SMT 電壓額定值:25 V 工作溫度范圍:- 25 C to + 85 C 封裝 / 箱體:0603 (1608 metric)
28F020 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:28F020 2048K (256K X 8) CMOS FLASH MEMORY
28F020-150 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述:
28F020G12 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述:
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