參數(shù)資料
型號(hào)： 28F016XD
廠(chǎng)商： Intel Corp.
英文描述： 16-Mbit Synchronous Flash Memory(16M位DRAM接口閃速存儲(chǔ)器)
中文描述： 16兆位同步閃存（1,600位內(nèi)存接口閃速存儲(chǔ)器）
文件頁(yè)數(shù)： 43/54頁(yè)
文件大?。?/td> 760K
代理商： 28F016XD
E
28F016XD FLASH MEMORY
43
t
RASP
tRP
RAS#
CAS#
tASR
tRAH
tASC
tCAH
tASC
tCAH
tASC
tCAH
Column 1
Row
Column 2
Column N
Din 1
Din 2
Din N
t
WCS
t
WCH
t
WCS
t
WCH
t
WCS
t
WCH
tDS
t
DH
tDS
t
DH
t
DH
t
DS
Address
WE#
Din
Dout
OE# : Don’t Care
: Don’t Care
WCS >=
t
WCS (min)
t
t
T
tCSH
t
PC
tRSH
t
RCD
t
CAS
tCP
t
CAS
t
CP
t
CAS
t
RP
OPEN
0533_12
Figure 12. AC Waveforms for Fast Page Mode Early Write Operations
相關(guān)PDF資料
PDF描述
28F016XS 16-Mbit Synchronous Flash Memory(16M位同步閃速存儲(chǔ)器)
28F020 5 V Bulk Erase Flash Memory(5V 整體擦寫(xiě)閃速存儲(chǔ)器)
28F128J3A 3 Volt Intel StrataFlash Memory(3 V 128M位Strata閃速存儲(chǔ)器)
28F320J3A 3 Volt Intel StrataFlash Memory(3 V 32M位英特爾StrataFlash存儲(chǔ)器)
28F640J3A 3 Volt Intel StrataFlash Memory(3 V 64M位英特爾StrataFlash存儲(chǔ)器)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
28F016XS 制造商:INTEL 制造商全稱(chēng):Intel Corporation 功能描述:16-MBIT (1 MBIT x 16, 2 MBIT x 8) SYNCHRONOUS FLASH MEMORY
28F0181-1SR-10 功能描述:電磁干擾濾波珠子、扼流圈和陣列 115ohms 100MHz 10A Broad Band Frequency RoHS:否 制造商:AVX 阻抗: 最大直流電流:35 mA 最大直流電阻: 容差: 端接類(lèi)型:SMD/SMT 電壓額定值:25 V 工作溫度范圍:- 25 C to + 85 C 封裝 / 箱體:0603 (1608 metric)
28F020 制造商:INTEL 制造商全稱(chēng):Intel Corporation 功能描述:28F020 2048K (256K X 8) CMOS FLASH MEMORY
28F020-150 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述:
28F020G12 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述:
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