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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 28F016XD |
| 廠商： | Intel Corp. |
| 英文描述： | 16-Mbit Synchronous Flash Memory(16M位DRAM接口閃速存儲(chǔ)器) |
| 中文描述： | 16兆位同步閃存（1,600位內(nèi)存接口閃速存儲(chǔ)器） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 51/54頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 760K |
| 代理商： | 28F016XD |
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E
5.10 Erase and Word Program Performance
(3,4)
28F016XD FLASH MEMORY
51
V
CC
= 3.3V ± 0.3V, V
PP
= 5.0V ± 0.5V, T
A
= 0°C to +70°C
Symbol
Parameter
Notes
Min
Typ
(1)
Max
Units
t
WHRH
1
t
WHRH
3
Word Program Time
2,5
TBD
35.0
TBD
μs
Block Program Time
2,5
TBD
1.2
TBD
sec
Block Erase Time
2,5
TBD
1.4
TBD
sec
Erase Suspend Latency Time to Read
1.0
12.0
75.0
μs
V
CC
= 3.3V ± 0.3V, V
PP
= 12.0V ± 0.6V, T
A
= 0°C to +70°C
Symbol
Parameter
Notes
Min
Typ
(1)
Max
Units
t
WHRH
1
t
WHRH
3
Word Program Time
2,5
5
9
TBD
μs
Block Program Time
2,5
TBD
0.3
1.0
sec
Block Erase Time
2
0.3
0.8
10
sec
Erase Suspend Latency Time to Read
1.0
9.0
55.0
μs
V
CC
= 5.0V ± 0.5V, V
PP
= 5.0V ± 0.5V, T
A
= 0°C to +70°C
Symbol
Parameter
Notes
Min
Typ
(1)
Max
Units
t
WHRH
1
t
WHRH
3
Word Program Time
2,5
TBD
25.0
TBD
μs
Block Program Time
2,5
TBD
0.85
TBD
sec
Block Erase Time
2,5
TBD
1.0
TBD
sec
Erase Suspend Latency Time to Read
1.0
9.0
55.0
μs
V
CC
= 5.0V ± 0.5V, V
PP
= 12.0V ± 0.6V, T
A
= 0°C to +70°C
Symbol
Parameter
Notes
Min
Typ
(1)
Max
Units
t
WHRH
1
t
WHRH
3
Word Program Time
2,5
4.5
6
TBD
μs
Block Program Time
2,5
TBD
0.2
1.0
sec
Block Erase Time
2
0.3
0.6
10
sec
Erase Suspend Latency Time to Read
1.0
7.0
40.0
μs
NOTES:
1.
+25°C, and nominal voltages.
2. Excludes system-level overhead.
3. These performance numbers are valid for all speed versions.
4. Sampled, but not 100% tested. Guaranteed by design.
5. Please contact Intel’s Application Hotline or your local sales office for more information for current TBD information.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 28F016XS | 16-Mbit Synchronous Flash Memory(16M位同步閃速存儲(chǔ)器) |
| 28F020 | 5 V Bulk Erase Flash Memory(5V 整體擦寫(xiě)閃速存儲(chǔ)器) |
| 28F128J3A | 3 Volt Intel StrataFlash Memory(3 V 128M位Strata閃速存儲(chǔ)器) |
| 28F320J3A | 3 Volt Intel StrataFlash Memory(3 V 32M位英特爾StrataFlash存儲(chǔ)器) |
| 28F640J3A | 3 Volt Intel StrataFlash Memory(3 V 64M位英特爾StrataFlash存儲(chǔ)器) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 28F016XS | 制造商:INTEL 制造商全稱(chēng):Intel Corporation 功能描述:16-MBIT (1 MBIT x 16, 2 MBIT x 8) SYNCHRONOUS FLASH MEMORY |
| 28F0181-1SR-10 | 功能描述:電磁干擾濾波珠子、扼流圈和陣列 115ohms 100MHz 10A Broad Band Frequency RoHS:否 制造商:AVX 阻抗: 最大直流電流:35 mA 最大直流電阻: 容差: 端接類(lèi)型:SMD/SMT 電壓額定值:25 V 工作溫度范圍:- 25 C to + 85 C 封裝 / 箱體:0603 (1608 metric) |
| 28F020 | 制造商:INTEL 制造商全稱(chēng):Intel Corporation 功能描述:28F020 2048K (256K X 8) CMOS FLASH MEMORY |
| 28F020-150 | 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述: |
| 28F020G12 | 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述: |
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