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參數(shù)資料
| 型號： | 28F016XD |
| 廠商： | Intel Corp. |
| 英文描述： | 16-Mbit Synchronous Flash Memory(16M位DRAM接口閃速存儲器) |
| 中文描述： | 16兆位同步閃存（1,600位內(nèi)存接口閃速存儲器） |
| 文件頁數(shù)： | 35/54頁 |
| 文件大小： | 760K |
| 代理商： | 28F016XD |
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E
Write Cycle
28F016XD FLASH MEMORY
35
Versions
28F016XD-85
Units
Sym
Parameter
Notes
Min
Max
t
RC(W)
Random write cycle time
75
ns
t
RAS(W)
RAS# pulse width (writes)
65
∞
ns
t
CAS(W)
CAS# pulse width (writes)
50
∞
ns
t
RCD(W)
RAS# to CAS# delay time (writes)
1
15
15
ns
t
RSH(W)
RAS# hold time (writes)
50
ns
t
CSH(W)
CAS# hold time (writes)
65
ns
t
WCS
Write command set-up time
5
0
ns
t
WCH
Write command hold time
15
ns
t
WCR
Write command hold time referenced to RAS#
3
30
ns
t
WP
Write command pulse width
15
ns
t
RWL
Write command to RAS# lead time
50
ns
t
CWL
Write command to CAS# lead time
50
ns
t
DS
Data-in set-up time
7,9
0
ns
t
DH
Data-in hold time
7,9
15
ns
t
DHR
Data-in hold time referenced to RAS#
3,9
30
ns
Read-Modify-Write Cycle
Versions
28F016XD-85
Units
Sym
Parameter
Notes
Min
Max
t
RWC
Read-modify-write cycle time
10
175
ns
t
RWD
RAS# to WE# delay time
5,10
115
ns
t
CWD
CAS# to WE# delay time
5,10
65
ns
t
AWD
Column address to WE# delay time
5,9,10
100
ns
t
OEH
OE# command hold time
10
15
ns
Fast Page Mode Cycle
Versions
28F016XD-85
Units
Sym
Parameter
Notes
Min
Max
t
PC(R)
Fast page mode cycle time (reads)
65
ns
t
PC(W)
Fast page mode cycle time (writes)
65
ns
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 28F016XS | 16-Mbit Synchronous Flash Memory(16M位同步閃速存儲器) |
| 28F020 | 5 V Bulk Erase Flash Memory(5V 整體擦寫閃速存儲器) |
| 28F128J3A | 3 Volt Intel StrataFlash Memory(3 V 128M位Strata閃速存儲器) |
| 28F320J3A | 3 Volt Intel StrataFlash Memory(3 V 32M位英特爾StrataFlash存儲器) |
| 28F640J3A | 3 Volt Intel StrataFlash Memory(3 V 64M位英特爾StrataFlash存儲器) |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 28F016XS | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:16-MBIT (1 MBIT x 16, 2 MBIT x 8) SYNCHRONOUS FLASH MEMORY |
| 28F0181-1SR-10 | 功能描述:電磁干擾濾波珠子、扼流圈和陣列 115ohms 100MHz 10A Broad Band Frequency RoHS:否 制造商:AVX 阻抗: 最大直流電流:35 mA 最大直流電阻: 容差: 端接類型:SMD/SMT 電壓額定值:25 V 工作溫度范圍:- 25 C to + 85 C 封裝 / 箱體:0603 (1608 metric) |
| 28F020 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:28F020 2048K (256K X 8) CMOS FLASH MEMORY |
| 28F020-150 | 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述: |
| 28F020G12 | 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述: |
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