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參數(shù)資料
| 型號： | 28F016XD |
| 廠商： | Intel Corp. |
| 英文描述： | 16-Mbit Synchronous Flash Memory(16M位DRAM接口閃速存儲器) |
| 中文描述： | 16兆位同步閃存（1,600位內(nèi)存接口閃速存儲器） |
| 文件頁數(shù)： | 27/54頁 |
| 文件大?。?/td> | 760K |
| 代理商： | 28F016XD |
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E
NOTES:
1.
All currents are in RMS unless otherwise noted. Typical values at V
= 5.0V, V
= 12.0V or 5.0V, T = +25
°
C. These
currents are specified for a CMOS rise/fall time (10% to 90%) of <5 ns and a TTL rise/fall time of <10 ns.
2.
I
is specified with the device de-selected. If the device is read while in Erase
Suspend mode, current draw is the sum
of I
CCES
and I
CC1
/I
CC4
.
3.
Block erases, word programs and lock block operations are inhibited when V
= V
PPLK
and not guaranteed in the ranges
between V
PPLK(max)
and V
PPH1(min)
, between V
PPH1(max)
and V
PPH2(min)
, and above V
PPH2(max)
.
4.
Automatic Power Saving (APS) reduces I
CC1
and I
CC4
to 1 mA typical in static operation.
5.
CMOS inputs are either V
CC
± 0.2V or GND ± 0.2V. TTL inputs are either V
IL
or V
IH
.
6.
Sampled, not 100% tested. Guaranteed by design.
28F016XD FLASH MEMORY
27
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 28F016XS | 16-Mbit Synchronous Flash Memory(16M位同步閃速存儲器) |
| 28F020 | 5 V Bulk Erase Flash Memory(5V 整體擦寫閃速存儲器) |
| 28F128J3A | 3 Volt Intel StrataFlash Memory(3 V 128M位Strata閃速存儲器) |
| 28F320J3A | 3 Volt Intel StrataFlash Memory(3 V 32M位英特爾StrataFlash存儲器) |
| 28F640J3A | 3 Volt Intel StrataFlash Memory(3 V 64M位英特爾StrataFlash存儲器) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 28F016XS | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:16-MBIT (1 MBIT x 16, 2 MBIT x 8) SYNCHRONOUS FLASH MEMORY |
| 28F0181-1SR-10 | 功能描述:電磁干擾濾波珠子、扼流圈和陣列 115ohms 100MHz 10A Broad Band Frequency RoHS:否 制造商:AVX 阻抗: 最大直流電流:35 mA 最大直流電阻: 容差: 端接類型:SMD/SMT 電壓額定值:25 V 工作溫度范圍:- 25 C to + 85 C 封裝 / 箱體:0603 (1608 metric) |
| 28F020 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:28F020 2048K (256K X 8) CMOS FLASH MEMORY |
| 28F020-150 | 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述: |
| 28F020G12 | 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述: |
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