參數(shù)資料
型號： 28F016XD
廠商： Intel Corp.
英文描述： 16-Mbit Synchronous Flash Memory(16M位DRAM接口閃速存儲器)
中文描述： 16兆位同步閃存（1,600位內(nèi)存接口閃速存儲器）
文件頁數(shù)： 22/54頁
文件大小： 760K
代理商： 28F016XD
28F016XD FLASH MEMORY
E
22
5.4 DC Characteristics
V
= 3.3V ± 0.3V, T
= 0°C to +70°C
3/5# = Pin Set High for 3.3V Operations
Sym
Parameter
I
CC
1
V
CC
Word Read
Current
Notes
1,4,5
Min
Typ
50
Max
70
Unit
mA
Test Condition
V
CC
= V
CC
Max
RAS#, CAS# = V
IL
RAS#, CAS#, Addr. Cycling @
t
RC
= min
I
OUT
= 0 mA
Inputs = TTL or CMOS
V
CC
= V
CC
Max
RAS#, CAS#, RP# = V
IH
WP#, 3/5# = V
IL
or V
IH
V
CC
= V
CC
Max
CAS# = V
IH
RAS# = V
IL
RAS#, Addr. Cycling @
t
RC
= min
Inputs = TTL or CMOS
V
CC
= V
CC
Max
RAS#, CAS# = V
IL
CAS#, Addr. Cycling @
t
PC
= min
I
OUT
= 0 mA
Inputs = V
IL
or V
IH
V
CC
= V
CC
Max
RAS# CAS# RP# = V
CC
± 0.2V
WP#, 3/5# = V
CC
± 0.2V or
GND ± 0.2V
V
CC
= V
CC
Max
CAS#, RAS# = V
IL
CAS#, RAS#, Addr. Cycling @
t
RC
= min
Inputs = TTL or CMOS
V
CC
= V
CC
Max
RAS#, CAS# = V
IL
I
OUT
= 0 mA
Inputs = V
IL
or V
IH
V
CC
= V
CC
Max
V
IN
= V
CC
or GND
V
CC
= V
CC
Max
V
OUT
= V
CC
or GND
RP# = GND ± 0.2V
I
CC
2
V
CC
Standby Current
1,5
1
4
mA
I
CC
3
V
CC
RAS#-Only
Refresh Current
1,5
50
80
mA
I
CC
4
V
CC
Fast Page Mode
Word Read Current
1,4,5
40
70
mA
I
CC
5
V
CC
Standby Current
1,5
70
130
μA
I
CC
6
V
CC
CAS#-before-
RAS# Refresh Current
1,5
40
15
mA
I
CC
7
V
CC
Standby Current
(Self Refresh Mode)
1,5
40
10
mA
I
LI
Input Load Current
1
± 1
μA
I
LO
Output Leakage
Current
V
CC
Deep Power-
Down Current
1
± 10
μA
I
CCD
1
2
10
μA
相關(guān)PDF資料
PDF描述
28F016XS 16-Mbit Synchronous Flash Memory(16M位同步閃速存儲器)
28F020 5 V Bulk Erase Flash Memory(5V 整體擦寫閃速存儲器)
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28F320J3A 3 Volt Intel StrataFlash Memory(3 V 32M位英特爾StrataFlash存儲器)
28F640J3A 3 Volt Intel StrataFlash Memory(3 V 64M位英特爾StrataFlash存儲器)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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28F020-150 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述:
28F020G12 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述:
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